2SC4552: NPN-транзистор с эпитаксиальным слоем для быстрого переключения
2SC4552 - это мощный транзистор, разработанный для быстрого переключения. Он имеет низкое насыщенное напряжение коллектор-эмиттер (VCE(sat)) и высокий коэффициент усиления тока (hFE). Этот транзистор идеально подходит для использования в драйверах, таких как DC/DC преобразователи и исполнительные механизмы.
Кроме того, компактный корпус из литого под давлением изоляционного материала способствует плотной установке и снижению затрат на монтаж.
ОСОБЕННОСТИ
- Высокий hFE и низкое VCE(sat):
- hFE ≥ 100 (VCE = 2 В, IC = 3 A)
- VCE(sat) ≤ 0.3 В (IC = 8 A, IB = 0.4 A)
- Корпус из пластика, который не требует изоляционной платы или изоляционной втулки
ПАРАМЕТРЫ (Ta = 25 °C)
Параметр |
Символ |
Номинальное значение |
|
Напряжение коллектор-база |
Vcbo |
100 В |
|
Напряжение коллектор-эмиттер |
Vceo |
60 В |
|
Напряжение эмиттер-база |
Vebo |
7.0 В |
|
Ток коллектора (постоянный) |
Ic(DC) |
15 А |
|
Ток коллектора (импульсный) |
Ic(pulse) * |
30 A |
|
Ток базы (постоянный) |
Ib(DC) |
7.5 А |
|
Рассеивание общей мощности (Tc = 25 °C) |
PT (Tc = 25 °C) |
30 Вт |
|
Рассеивание общей мощности (Ta = 25 °C) |
PT (Ta = 25 °C) |
2.0 Вт |
|
Температура перехода |
Tj |
150 °C |
|
Температура хранения |
Tstg |
-55 до +150 °C |
|