4N60С полевой транзистор. Полная маркировка транзистора FQPF4N60C от производителя Fairchild
Тип корпуса: TO220F
Общие сведения
Транзисторы 4N60 представляют собой N-канальные MOSFET с обогащением, изготовленные по фирменной планарной полосовой DMOS-технологии компании Fairchild. Эта передовая технология специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и устойчивости к импульсам высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо подходят для блоков питания с коммутацией в режиме высокой эффективности.
Особенности
- Максимальный ток стока: 2,6 А
- Максимальное напряжение между стоком и истоком: 600 В
- Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)): 2,2 Ом при напряжении затвор-исток (V GS) = 10 В
- Низкий заряд затвора (типичное значение: 15 нК)
- Низкий Crss (типичное значение: 8,0 пФ)
- Быстрый переключающий процесс
- 100% тестирование на лавинный пробой
- Улучшенная устойчивость к dv/dt
Максимально допустимые параметры
Если температура корпуса транзистора не превышает 25 °C, то его максимально допустимые характеристики следующие:
- Напряжение между стоком и истоком: 600 В
- Ток стока: 2,6 А
- Напряжение затвор-исток: ±30 В
- Однократная энергия лавинного пробоя: 260 мДж
- Ток лавинного пробоя: 2,6 А
- Повторяемая энергия лавинного пробоя: 3,6 мДж
- Пиковое значение скорости нарастания обратного тока диода: 4,5 В/нс
- Рассеиваемая мощность: 36 Вт
При температуре корпуса выше 25 °C максимальный ток стока уменьшается на 0,29 Вт/°C.
Температурные характеристики
Диапазон рабочих и эксплуатационных температур транзистора составляет от -55 до +150 °C. Максимальная температура вывода для пайки составляет 300 °C.
Тестирование
от 80 грн.
от 50 грн.