|
Количество на складе
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
|
|
|||
MMD70R900P — 700 В N-канальный MOSFET от производителя MagnaChip, корпус TO-252 (DPAK)
Мощный MOSFET серии MMD70R900P, созданный на технологии super-junction, предназначен для первичных каскадов импульсных БП, PFC-ступеней, адаптеров и DC-DC преобразователей. При VGS=10 В сопротивление канала не превышает 0,9 Ω, что позволяет снизить потери на проводимость. Устройство проходит 100% avalanche-тестирование и поставляется в «зелёном» исполнении (Pb-free, Halogen-free).
Маркировка на корпусе (чтобы не запутаться)
-
Первая строка:
70R900P— это код модели. Именно он подтверждает, что перед вами MMD70R900P. - Вторая строка: служебный код производства/партии и даты. Он может отличаться от партии к партии — например, на реальном фото:
G2310CGE. На подбор транзистора эта строка не влияет. - Официальное обозначение:
MMD70R900PRHмаркировкой на корпусе является70R900P; корпус — TO-252 (DPAK); упаковка — Лента
Ключевые параметры
| Напряжение сток-исток VDSS | 700 В |
| Ток стока непрерывный ID | до 5 А (TC=25 °C) |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) | тип. 0,81 Ω; макс. 0,90 Ω (VGS=10 В, ID=1,5 А) |
| Заряд затвора Qg | около 15 нКл (VGS=10 В, VDS≈560 В, ID=5 А) |
| Мощность рассеяния PD | 40 Вт |
| Энергия одиночного лавинного импульса EAS | 50 мДж |
| Порог затвора VGS(th) | 2…4 В (тип. 3 В) |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус RthJC | 3,1 °C/Вт |
| Диод: время обратного восстановления trr | ≈315 нс; заряд Qrr ≈2,0 мКл |
| Допустимое напряжение затвор-исток VGSS | ±30 В |
Корпус и выводы
Корпус TO-252 (DPAK), 3 вывода. Внутренняя схема — стандартная для MOSFET: G, D, S; теплорассеивающая пятка/металлическая площадка соединена со стоком (D).
Габаритные размеры приведены в разделе «Physical Dimension» даташита (TO-252, 3L).
Применение
- PFC-ступени источников питания
- Переключательные (ключевые) применения, адаптеры
- Управление двигателями, DC-DC преобразователи