Полевой транзистор AON7409, P-канальный MOSFET от компании Alpha and Omega
- Напряжение: 30В
- Ток: 32А
- Тип корпуса: DFN3*3-8, размер 3.3*3.3мм
*Вторая строка в маркировке транзистора указывает номер партии и год изготовления, это маркировка никак не влияет на параметры, и будет отличаться от партии к партии, основная маркировка указана в первой строке
AON7409 сочетает в себе передовую технологию Trench MOSFET с корпусом с низким сопротивлением для обеспечения чрезвычайно низкого сопротивления RDS(ON). Это устройство идеально подходит для применений, где требуется коммутация нагрузки и защита аккумулятора.
- Соответствует стандартам RoHS и не содержит галогенов.
Краткие характеристики:
- Напряжение сток-исток (VDS): -30 В
- Ток стока (ID) (при VGS=-10В): -32 А
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(ON)) (при VGS=-10В): < 8.5 мОм
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(ON)) (при VGS=-4.5В): < 17 мОм
-
Абсолютные максимальные значения (Ta=25°C, ):
| Параметр |
Символ |
Максимум (Единицы измерения) |
| Напряжение сток-исток |
VDS |
-30 В |
| Напряжение затвор-исток |
VGS |
±25 В |
| Постоянный ток стока (ID) |
ID |
-32 А (Tc=25°C) / -25 А (Tc=100°C) / -16 А (Ta=25°C) / -12.5 А (Ta=70°C) |
| Импульсный ток стока |
IDM |
-128 А |
| Ток лавины |
IAS |
40 А |
| Энергия лавины (L=0.1мГн) |
EAS |
80 мДж |
| Рассеиваемая мощность (P) |
P |
96 Вт (Tc=25°C) / 38.5 Вт (Tc=100°C) / 3.1 Вт (Ta=25°C) / 2 Вт (Ta=70°C) |
| Температура перехода и хранения |
TJ, TSTG |
-55 до 150 °C |
от 80 грн.
от 50 грн.