AONR36366-MS, маркировка 100N03, корпус DFN3*3-8, N-канальный MOSFET транзистор 30В, 100А, /MSKSEMI/

AONR36366-MS — это мощный N-канальный MOSFET транзистор от производителя MSKSEMI Semiconductor, предназначенный для работы в схемах коммутации питания, защиты аккумуляторов и силовых DC-DC узлах. Транзистор имеет очень малое сопротивление открытого канала и способен работать с большими токами, что делает его эффективным ключом в современных электронных устройствах.

Модель рассчитана на напряжение до 30 В, выполнена в компактном корпусе DFN3×3-8L и имеет маркировку 100N03 на корпусе. Низкое сопротивление открытого канала, малый заряд затвора и поддержка работы от 4.5 В на затворе делают этот транзистор удачным выбором для плат защиты аккумуляторов, power bank, UPS, DC-DC преобразователей и других силовых узлов.

Распространенные варианты написания модели: AONR36366, AONR36366-MS, 100N03 MOSFET.

Функционал

• N-канальный MOSFET транзистор для силовых ключевых схем
• Эффективная коммутация питания в компактных SMD-платах
• Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON)
• Малый заряд затвора для быстрого переключения
• Поддержка работы с напряжением управления от 4.5 В
• Встроенный паразитный диод между Drain и Source

Интеграция

• Корпус DFN 3×3 мм, 8 выводов
• Компактное решение для современных плотно смонтированных плат
• Подходит для узлов с большим током
• Нижняя тепловая площадка используется для отвода тепла

Эффективность

• Максимальное напряжение VDS — 30 В
• Максимальный непрерывный ток ID до 100 А при TC=25°C
• При TA=25°C непрерывный ток составляет до 30 А
• Сопротивление канала RDS(ON) до 5.5 мОм при VGS = 10 В
• При VGS = 4.5 В сопротивление канала составляет до 6 мОм
• Импульсный ток до 192 А

Энергосбережение

• Низкое сопротивление канала уменьшает тепловые потери
• Малый заряд затвора ускоряет переключение
• Подходит для высокоэффективных DC-DC схем
• Помогает уменьшить потери энергии в силовых преобразователях

Ключевые особенности

• Быстрое переключение
• Подходит для battery protection, load switch и UPS

Ключевые параметры

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Модель: AONR36366-MS
• Максимальное напряжение Drain-Source: 30 В
• Максимальное напряжение Gate-Source: ±20 В
• Непрерывный ток Drain: до 100 А
• Импульсный ток: 192 А
• RDS(ON): 4–5.5 мОм
• Пороговое напряжение затвора VGS(th): 1.0–2.5 В
• Температура перехода и хранения: -55…+150°C

Разъяснение маркировки

На корпусе транзистора нанесена сокращенная заводская маркировка:

• 100N03 — код модели MOSFET
• вторая строка — служебная маркировка производителя, которая может отличаться в зависимости от партии
• точка или метка на корпусе — обозначение вывода №1

В даташите производителя пример маркировки показан в виде 100N03 / XXXX, поэтому для идентификации модели основное значение имеет именно маркировка 100N03. Вторая строка не используется как основной признак электрических параметров транзистора.

Сокращенная маркировка часто применяется в компактных SMD-корпусах, где физически невозможно нанести полное название модели.

Как работает MOSFET транзистор

MOSFET — это электронный ключ. Он открывается или закрывается напряжением на затворе Gate. Когда на затвор подается соответствующее напряжение, между выводами Drain и Source открывается канал, через который проходит ток.

Чем меньше сопротивление канала RDS(ON), тем меньше энергии превращается в тепло. Именно поэтому такие транзисторы широко используются в силовой электронике, где важны эффективность, компактность и меньший нагрев.

Типичные применения

• защита аккумуляторов (Battery Protection)
• электронный ключ питания (Load Switch)
• источники бесперебойного питания (UPS)
• DC-DC преобразователи
• силовые модули питания
• контроллеры батарей
• платы power bank