APG068N04G (PDFN5X6-8L) N-канальный MOSFET транзистор, маркировка: G068N04G /All Power/

Высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор APG068N04G от компании All Power Semiconductor создан на базе современной технологии Split Gate Trench. Деталь разработана специально для использования в импульсных системах управления питанием (PWM), DC-DC преобразователях и схемах коммутацииловой нагрузки (Load Switch). Благодаря сверхнизкому сопротивлению открытого канала и минимальному заряду затвора, этот компонент существенно снижает тепловые потери при работе на высоких частотах, обеспечивая стабильную работу и высокий КПД электронных модулей.

Маркировка: Основной код, нанесенный на корпус транзистора — G068N04G. В верхней строке, выгравированы дополнительные символы (буквы или цифры). Они являются сменной маркировкой партии или даты производства детали. При подборе аналога или идентификации компонента для ремонта эти служебные символы необходимо игнорировать, ориентируясь исключительно на основной артикул G068N04G.

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-Channel (N-канальный)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 40 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id): 50 А (при температуре корпуса 25°C), 32 А (при 100°C)
• Максимальный импульсный ток стока (Idm): 200 А
• Сопротивление открытого канала Rds(on) при Vgs=10V: 5.7 мОм (типово), макс. 6.8 мОм
• Сопротивление открытого канала Rds(on) при Vgs=4.5V: 8.5 мОм (типово), макс. 10.0 мОм
• Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 1.0 - 2.0 В (типово 1.6 В)
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В
• Общий заряд затвора (Qg): 13.1 нКл
• Входная емкость (Ciss): 840 пФ
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 34 Вт
• Диапазон рабочих температур (Tj): от -55°C до +150°C
• Тип корпуса: PDFN5X6-8L (SMD монтаж)

Распиновка (назначение выводов) корпуса PDFN5X6-8L

Транзистор выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа, который имеет 8 выводов и большой металлизированный теплоотводящий площадку на нижней плоскости. Схема подключения:

• Выводы 1, 2, 3 (S - Source): Исток транзистора. На печатной плате эти контакты традиционно объединяются одним общим медным полигоном для обеспечения минимального переходного сопротивления.
• Вывод 4 (G - Gate): Затвор. Управляющий контакт транзистора, на который подается управляющее напряжение для открытия или закрытия канала.
• Выводы 5, 6, 7, 8 (D - Drain): Сток транзистора. Эти выводы физически и электрически объединены с массивной металлической подложкой (Pad) на дне корпуса, что гарантирует эффективный отвод тепла на плату.

Сравнение с другими транзисторами серии 40V (PDFN5X6)