APG068N04G (PDFN5X6-8L) N-канальний MOSFET транзистор, маркування: G068N04G /All Power/

Високоефективний N-канальний MOSFET транзистор APG068N04G від компанії All Power Semiconductor створений на базі сучасної технології Split Gate Trench. Деталь розроблена спеціально для використання в імпульсних системах керування живленням (PWM), DC-DC перетворювачах та схемах комутації силового навантаження (Load Switch). Завдяки наднизькому опору відкритого каналу та мінімальному заряду затвора, цей компонент суттєво знижує теплові втрати при роботі на високих частотах, забезпечуючи стабільну роботу та високий ККД електронних модулів.

Маркування: Основний код, нанесений на корпус транзистора — G068N04G. У вепхньому рядку  вигравірувані додаткові символи (літери чи цифри). Вони є змінним маркуванням партії або дати виробництва деталі. При підборі аналога або ідентифікації компонента для ремонту ці службові символи необхідно ігнорувати, орієнтуючись виключно на основний артикул G068N04G.

Технічні характеристики

• Тип транзистора: N-Channel (N-канальний)
• Максимальна напруга сток-витік (Vds): 40 В
• Максимальний постійний струм стоку (Id): 50 А (при температурі корпусу 25°C), 32 А (при 100°C)
• Максимальний імпульсний струм стоку (Idm): 200 А
• Опір відкритого каналу Rds(on) при Vgs=10V: 5.7 мОм (типово), макс. 6.8 мОм
• Опір відкритого каналу Rds(on) при Vgs=4.5V: 8.5 мОм (типово), макс. 10.0 мОм
• Порогова напруга затвора Vgs(th): 1.0 - 2.0 В (типово 1.6 В)
• Максимальна напруга затвор-витік (Vgs): ±20 В
• Загальний заряд затвора (Qg): 13.1 нКл
• Вхідна ємність (Ciss): 840 пФ
• Максимальна потужність розсіювання (Pd): 34 Вт
• Діапазон робочих температур (Tj): від -55°C до +150°C
• Тип корпусу: PDFN5X6-8L (SMD монтаж)

Розпіновка (призначення виводів) корпусу PDFN5X6-8L

Транзистор виконаний у компактному корпусі для поверхневого монтажу, який має 8 виводів та великий металізований тепловідвідний майданчик на нижній площині. Схема підключення:

• Виводи 1, 2, 3 (S - Source): Витік транзистора. На друкованій платі ці контакти традиційно об'єднуються одним загальним мідним полігоном для забезпечення мінімального перехідного опору.
• Вивід 4 (G - Gate): Затвор. Керуючий контакт транзистора, на який подається керівна напруга для відкриття або закриття каналу.
• Виводи 5, 6, 7, 8 (D - Drain): Стік транзистора. Ці виводи фізично та електрично об'єднані з масивною металевою підкладкою (Pad) на дні корпусу, що гарантує ефективне відведення тепла на плату.

Порівняння з іншими транзисторами серії 40V (PDFN5X6)