N-канальный MOSFET-транзистор силового класса для быстрого и эффективного управления нагрузками в цепях постоянного и импульсного тока. Подходит для использования в качестве низкоомного электронного ключа в современных преобразователях питания.
Функционал
- Коммутация постоянного напряжения до 60 В.
- Работа в составе импульсных преобразователей, DC-DC модулей, драйверов двигателей.
- Использование в качестве силового ключа с низкими потерями в высокочастотных схемах.
Ключевые параметры
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором).
- Максимальное напряжение сток-исток VDS: 60 В.
- Статическое сопротивление открытого канала RDS(on): около 6,7 мОм (типичное значение).
- Допустимый ток стока ID: до 79 А (при условии надлежащего охлаждения).
- Корпус: компактный низкопрофильный PG-TSDSON-8, размер 3.3х3.3 мм
Пояснение: N-канальный MOSFET-транзистор
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) — это полевой транзистор с изолированным затвором. Управление осуществляется напряжением на затворе, при этом ток затвора практически отсутствует, что значительно снижает потери на управление.
В N-канальном MOSFET проводящий канал образуется в полупроводнике n-типа, а основной ток течет от стока к истоку, когда на затвор подается положительное напряжение относительно истока. Это обеспечивает:
- низкое сопротивление открытого канала и малые потери мощности;
- высокую скорость переключения в импульсных схемах;
- удобное управление от логических микросхем и контроллеров (напряжением, а не током).
Типичные применения
- Силовые DC-DC преобразователи, понижающие и повышающие стабилизаторы.
- Управление двигателями постоянного тока, вентиляторами, соленоидами.
- Коммутация нагрузки в источниках питания и системах распределения энергии.
- Защитные и коммутационные узлы в автомобильной и промышленной электронике.
от 80 грн.
от 50 грн.