BT15T120CNR — мощный IGBT транзистор 1200В / 15А для индукционных плит и других импульсных нагрузок
Полностью заменяет: BT15T120ANF, G15N120D, 15N120HKD
BT15T120CNR — это IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства компании CRMICRO, выпущенный в 2019 году. На год выпуска указывают потертости на выводах транзисторов, так как они хранились не в пластиковом тубусе. Именно поэтому цена значительно ниже, однако это никоим образом не влияет на технические характеристики. Это позволяет существенно сэкономить при ремонте техники.
Транзистор сочетает высокое напряжение пробоя, низкое насыщенное напряжение VCE(sat), улучшенную способность к лавинному режиму и положительный температурный коэффициент. Изготовлен по технологии Trench FS (Field Stop) для лучшей эффективности при переключении.
Типичные применения:
- Индукционные плиты (IH)
- Импульсные источники питания
- Промышленные высокочастотные преобразователи
Маркировка на корпусе и пояснения:
- Корпус: TO-3P (N) — вертикальный тип с тремя контактами, пригодный для монтажа на радиатор
- Маркировка на корпусе:
- BT15T120 — основная сокращённая маркировка модели транзистора BT15T120CNR
- вторая строка содержит логотип производителя,
- В третьей строке указан номер партии, который всегда будет разным в каждой новой партии. Номер партии на технические свойства транзистора не влияет
- Для идентификации используйте именно маркировку первой строки BT15T120
💡 BT15T120CNR — отличное решение для силовых электронных систем, где требуется высокая надёжность, низкие потери и защита от лавинного режима.
Технические характеристики BT15T120CNR:
| Параметр |
Значение |
| Тип транзистора |
IGBT, Trench FS |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) |
1200 В |
| Макс. постоянный ток коллектора (при TC=100 °C) |
15 А |
| Пиковый импульсный ток коллектора |
45 А |
| Насыщенное напряжение коллектор-эмиттер VCE(sat) |
1.95 В (типовое) при 15 А |
| Пороговое напряжение затвора |
4.5–7.5 В |
| Заряд затвора Qg |
92.5 нКл |
| Время включения td(on) / tr |
15 нс / 16 нс |
| Время выключения td(off) / tf |
70 нс / 160 нс |
| Макс. рассеиваемая мощность (TC=25 °C) |
186 Вт |
| Температурный диапазон работы |
–55 °C … +150 °C |
| Корпус |
TO‑3P(N) |
| Тепловое сопротивление корпус‑кристалл |
0.55 °C/Вт (IGBT) |
Как правило, оригинальный транзистор при тестировании показывает на 20% больше запаса напряжения, а соответственно и мощности в соответствии с Datasheet.
Результаты теста 1445В при заявленных 1200В:
