BT25T120, TO-247, IGBT-транзистор BT25T120CKR, 25А/1200В (CRMicro)

BT25T120CKR — мощный IGBT транзистор 1200В / 25А для индукционных плит и других импульсных нагрузок

Полностью заменяет: BT25T120ANF, G25N120D, 25N120HKD

BT25T120CKR — это IGBT транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства China Resources Microelectronics Limited,  сокращенно "CRMICRO" который сочетает высокое напряжение пробоя, низкое насыщенное напряжение V_CE(sat), улучшенную способность к лавинному режиму и положительный температурный коэффициент. Изготовлен по технологии Trench FS (Field Stop) для лучшей эффективности при переключении.

Типичные применения:

• Индукционные плиты (IH)
• Импульсные источники питания
• Промышленные высокочастотные преобразователи

Маркировка на корпусе и пояснения:

• Корпус: TO-247 — вертикальный тип с тремя контактами, пригодный для монтажа на радиатор
• Маркировка на корпусе:
  • BT25T120 — основная сокращённая маркировка модели транзистора BT25T120CKR
  • вторая строка содержит логотип производителя,
  • В третьей строке указан номер партии, который всегда будет разным в каждой новой партии. Номер партии на технические свойства транзистора не влияет
•  Для идентификации используйте именно маркировку первой строки BT25T120

BT25T120CKR — отличное решение для силовых электронных систем, где требуется высокая надёжность, низкие потери и защита от лавинного режима.

Технические характеристики BT25T120CKR:

Как правило, оригинальный транзистор при тестировании показывает на 20% больше напряжение, а соответственно и мощности в соответствии с Datasheet. 
Результаты теста 1481В при заявленных 1200В: