FGH60N60SMD, TO-247, IGBT транзистор /ON Semiconductor/

FGH60N60SMD — это силовой IGBT-транзистор от производителя ON Semiconductor в корпусе TO-247. Он предназначен для работы в высоковольтных силовых схемах, где требуются большое рабочее напряжение, высокий ток, быстрое переключение и стабильная работа под нагрузкой.

Эта модель хорошо подходит для инверторов, сварочных аппаратов, источников бесперебойного питания, PFC-узлов, телеком-оборудования и других мощных преобразователей. Встроенный быстрый диод делает транзистор удобным для современной силовой электроники, где важны эффективность, быстродействие и надежность.

Функционал

• Силовой IGBT-транзистор для высоковольтных схем
• Подходит для инверторов, преобразователей, UPS и сварочных аппаратов
• Имеет встроенный быстрый диод
• Рассчитан на работу в узлах, где важны быстрое переключение и хорошая выносливость по напряжению

Интеграция

• Корпус: TO-247 — мощный корпус для монтажа в отверстия платы
• Удобен для установки на радиатор
• Подходит для ремонта и сборки силовых блоков и инверторной техники
• Металлическая пластина корпуса электрически соединена с коллектором, это нужно учитывать при монтаже

Эффективность

• Максимальное рабочее напряжение — 600 В
• Рабочий ток — до 60 А при температуре корпуса 100°C
• До 120 А при температуре корпуса 25°C
• Импульсный ток — до 180 А
• Типовое падение напряжения в открытом состоянии — 1.9 В
• Подходит для мощных схем с высоким напряжением и большим током

Энергосбережение

• Field Stop структура помогает снизить потери во время работы
• Умеренное падение напряжения в открытом состоянии уменьшает нагрев
• Хорошо подходит для силовых схем, где важны эффективность и стабильность

Ключевые особенности

• Field Stop IGBT
• Встроенный быстрый диод
• До 600 В
• До 60 А
• Корпус TO-247
• Подходит для инверторной техники

Ключевые параметры

• Тип компонента: силовой IGBT-транзистор для высоковольтных преобразователей, инверторов и импульсных силовых схем
• Корпус: TO-247 — большой силовой корпус для монтажа в отверстия платы с возможностью установки на радиатор
• Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Допустимое напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Кратковременное напряжение затвор-эмиттер: ±30 В
• Постоянный ток коллектора: до 120 А при температуре корпуса 25°C или до 60 А при 100°C
• Импульсный ток коллектора: до 180 А
• Ток встроенного диода: до 60 А при 25°C или до 30 А при 100°C
• Импульсный ток встроенного диода: до 180 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: до 600 Вт при температуре корпуса 25°C
• Максимальная температура кристалла: до 175°C
• Напряжение открытия затвора: примерно 3.5...6 В
• Падение напряжения в открытом состоянии: типично 1.9 В, максимум 2.5 В при токе 60 А
• Входная емкость: типично 2915 пФ
• Полный заряд затвора: типично 189 нКл
• Тепловое сопротивление кристалл-корпус: 0.25 °C/Вт

Назначение выводов

• G — Gate — затвор, управляющий вывод
• C — Collector — коллектор, силовой вывод
• E — Emitter — эмиттер, силовой вывод
• Металлическая пластина корпуса: также соединена с коллектором

Разъяснение маркировки

Основная маркировка корпуса — FGH60N60SMD. Дополнительно нанесен логотип ON Semiconductor и служебные производственные коды партии. Вспомогательные строки могут отличаться в зависимости от серии выпуска, но главная маркировка для идентификации — именно FGH60N60 и во второй строке SMD.

Типовые применения

• Солнечные инверторы
• Источники бесперебойного питания
• Сварочные аппараты
• PFC-модули
• Телеком-оборудование
• Мощные импульсные преобразователи

Реальное тестирование

Во время практической проверки транзистор показал пробивное напряжение 787 В при заявленных 600 В. Это примерно на 31% выше паспортного значения.

Такой результат подтверждает хороший запас по напряжению и является характерным признаком качественного силового транзистора с полноценными параметрами, соответствующими уровню оригинального компонента.

Важно учесть

FGH60N60SMD — это силовой высоковольтный IGBT-транзистор. Для стабильной и безопасной работы нужно правильно организовать управление затвором, охлаждение, изоляцию радиатора и защиту от перенапряжения.