FQPF20N60 — это N-канальный высоковольтный силовой полевой транзистор (MOSFET) от производителя Fairchild Semiconductor, разработанный для использования в современных системах питания переменного и постоянного тока. Использование передовой технологии обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии и малую емкость, что позволяет повысить эффективность импульсных источников питания.
Основные электрические характеристики:
- Напряжение сток-исток (VDS): 600 В
- Ток стока (ID): 20 А (при температуре корпуса 25°C)
- Импульсный ток стока (IDM): 80 А
- Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): не более 0.37 Ом (при VGS = 10 В)
- Напряжение затвора (VGS): ±30 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): от 3.2 В до 4.5 В
- Максимальная рабочая температура перехода (TJ): +150°C
Особенности и преимущества:
- Тип корпуса: TO-220F (изолированный).
- Мощность рассеивания (PD): 50 Вт при 25°C.
- Энергия одиночного лавинного импульса (EAS): 1260 мДж.
- 100% компонентов проходят испытания на лавинный пробой (UIS) и проверку сопротивления затвора (Rg).
- Соответствует экологическим стандартам RoHS.
Тестирование:
