FQPF8N60C — это N-канальный полевой транзистор с изолированным корпусом TO-220F, разработанный компанией Fairchild Semiconductor (теперь часть ON Semiconductor). Благодаря высокому напряжению пробоя (600 В), хорошему коммутационному быстродействию и малому заряду затвора, транзистор идеально подходит для применения в источниках питания, импульсных преобразователях, схемах PFC и электронных балластах.
Ключевые характеристики:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Корпус: TO-220F (изолированный)
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 600 В
- Ток стока: 7.5 А (непрерывный, при TC=25°C)
- Импульсный ток стока: до 30 А
- Сопротивление сток-исток (RDS(on)): 1.2 Ω (макс) при VGS = 10 В
- Заряд затвора (Qg): 28 нКл (типовой)
- Емкость обратной связи (Crss): 12 пФ (тип.)
- Мощность рассеяния: 48 Вт (при TC=25°C)
- Температурный диапазон: –55°C...+150°C
Особенности:
- Низкий заряд затвора — обеспечивает высокую скорость переключения
- 100% проверка на лавинную прочность
- Низкая емкость обратной связи
- Полная изоляция корпуса для упрощенного монтажа без радиатора
Маркировка на корпусе и пояснения:
- Основная маркировка: FQPF8N60C
- Дополнительные символы или цифры на корпусе могут указывать на партию или дату выпуска и не влияют на технические параметры.
Типовые применения:
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC)
- Электронные балласты для люминесцентных ламп
- Преобразователи с топологией Half Bridge
💡 Благодаря сочетанию высокого напряжения, небольшого сопротивления сток-исток и хорошей динамики, FQPF8N60C часто используют в схемах с ограниченным пространством, где требуется изоляция корпуса и надежность.
Тестирование транзистора
от 80 грн.
от 50 грн.