FQPF8N60C — це N-канальний польовий транзистор з ізольованим корпусом TO-220F, розроблений компанією Fairchild Semiconductor (тепер частина ON Semiconductor). Завдяки високій напрузі пробою (600 В), хорошій комутаційній швидкодії та малому заряду затвора, транзистор ідеально підходить для застосування в джерелах живлення, імпульсних перетворювачах, схемах PFC та електронних баластах.
Ключові характеристики:
- Тип транзистора: N-канальний MOSFET
- Корпус: TO-220F (ізольований)
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 600 В
- Струм стоку: 7.5 А (безперервний, при TC=25°C)
- Імпульсний струм стоку: до 30 А
- Опір стік-витік (RDS(on)): 1.2 Ω (макс) при VGS = 10 В
- Заряд затвора (Qg): 28 нКл (типовий)
- Ємність зворотного зв'язку (Crss): 12 пФ (тип.)
- Потужність розсіювання: 48 Вт (при TC=25°C)
- Температурний діапазон: –55°C...+150°C
Особливості:
- Низький заряд затвора — забезпечує високу швидкість перемикання
- 100% перевірка на лавинну міцність
- Низька ємність зворотного зв’язку
- Повна ізоляція корпуса для спрощеного монтажу без радіатора
Маркування на корпусі та пояснення:
- Основне маркування: FQPF8N60C
- Додаткові символи або цифри на корпусі можуть вказувати на партію або дату випуску та не впливають на технічні параметри.
Типові застосування:
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Активні схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC)
- Електронні баласти для люмінесцентних ламп
- Перетворювачі з топологією Half Bridge
💡 Завдяки поєднанню високої напруги, невеликого опору стік-витік та гарної динаміки, FQPF8N60C часто використовують у схемах з обмеженим простором, де потрібна ізоляція корпусу та надійність.
Тестування тназистора
від 80 грн.
від 50 грн.