FS8205A — двойной n-канальный силовой MOSFET для схем защиты Li-ion/Li-Pol аккумуляторов и коммутации питания. В корпусе TSSOP-8; два транзистора с низким сопротивлением канала подходят для «back-to-back» подключения (двунаправленный электронный выключатель в батарейных защитах/ВМС).
Ключевые параметры
- VDS (макс.) — максимальное напряжение сток–исток: 20 В
- VGS (макс.) — максимальное напряжение затвор–исток: ±12 В
- ID (непрерывный) — непрерывный ток стока: 6 А @ 25 °C; 5 А @ 70 °C
- IDM (импульсный) — пиковый импульсный ток стока: 25 А (≤300 µs, D=2%)
- RDS(on) (макс.) — сопротивление канала во включенном состоянии: 25 mΩ @ VGS=4.5 В, ID=4 А; 35 mΩ @ VGS=2.5 В, ID=3 А
- VGS(th) (порог) — пороговое напряжение затвора: 0.5…1.0 В
- IDSS (утечка) — ток утечки стока при закрытом затворе: ≤1 µA (25 °C), ≤25 µA (70 °C) при VDS=20 В
- Диод тела: VSD (прямое напряжение диода тела) ≈ 1.2 В @ I=1.25 А; непрерывный ток IS до 0.83 А
- PD — рассеиваемая мощность корпуса: 1 Вт @ 25 °C; RθJA (тепловое сопротивление переход–среда) макс. 125 °C/Вт
Типичные применения: защита элементов 1S Li-ion/Li-Pol (BMS/PCM), электронные выключатели с малыми потерями, коммутация питания в портативной технике.
Маркировка на корпусе (чтобы не путаться при ремонте)
- Строка модели: 8205A или FS8205A — определяет тип микросхемы (именно по ней подбирают замену).
- Служебная строка даты/партии: например, CE6MOT.1 (формат может отличаться). Всегда разная у каждого выпуска и не влияет на электрические параметры или совместимость.
Примечание по применению: для двунаправленной отсечки в батарейных защитах транзисторы включают «спинами» (back-to-back) — это блокирует ток в обоих направлениях в выключенном состоянии и уменьшает падение напряжения во включенном.
от 80 грн.
от 50 грн.