IKW25N120T2 — это силовой IGBT-транзистор от Infineon Technologies в корпусе TO-247-3, рассчитанный на работу с напряжением до 1200 В. Это качественный высоковольтный компонент для инверторов, UPS, частотных преобразователей и другой силовой электроники, где требуются хорошая выносливость, стабильная работа и умеренные потери.
Модель построена на технологии TrenchStop 2-го поколения и имеет встроенный быстрый антипараллельный диод. Такой транзистор хорошо подходит для современных силовых узлов, где важны невысокие потери, низкий уровень электромагнитных помех при переключении и стабильная работа при нагреве.
Функционал
- Силовой IGBT-транзистор для высоковольтных схем до 1200 В
- Подходит для UPS, частотных преобразователей, инверторов и силовых блоков
- Имеет встроенный быстрый антипараллельный диод
- Рассчитан на работу в узлах, где важны стабильность, умеренные потери и надежность
Ключевые параметры
- Тип компонента: силовой IGBT-транзистор со встроенным быстрым антипараллельным диодом
- Корпус: TO-247-3 — мощный силовой корпус для монтажа в отверстия платы с возможностью установки на радиатор
- Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
- Допустимое напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Постоянный ток коллектора: до 50 А при температуре корпуса 25°C или до 25 А при 110°C
- Импульсный ток коллектора: до 100 А
- Ток встроенного диода: до 40 А при температуре корпуса 25°C или до 25 А при 110°C
- Максимальная рассеиваемая мощность: до 349 Вт при температуре корпуса 25°C
- Максимальная температура кристалла: до 175°C
- Напряжение открытия затвора: примерно 5.2...6.4 В, типично 5.8 В
- Падение напряжения в открытом состоянии: типично 1.7 В, максимум 2.2 В при токе 25 А и управлении затвором 15 В
- Падение напряжения на встроенном диоде: типично 1.65 В при токе 25 А
- Входная емкость: типично 1600 пФ
- Полный заряд затвора: типично 120 нКл
- Тепловое сопротивление кристалл-корпус: 0.43 °C/Вт для IGBT-части
- Время выдержки короткого замыкания: до 10 мкс
Призначення виводів
- G — Gate — затвор, управляющий вывод
- C — Collector — коллектор, силовой вывод
- E — Emitter — эмиттер, силовой вывод
- Металлическая пластина корпуса: также соединена с коллектором
Разъяснение маркировки
На корпусе транзистора нанесена сокращенная маркировка K25T1202 — это заводское обозначение модели IKW25N120T2 согласно даташиту. Ниже также наносится производственный код партии, например HAJ235, который в каждой новой партии будет иным. При подборе, ремонте или замене транзистора обращать внимание следует именно на основную маркировку K25T1202.
Типовые применения
- Частотные преобразователи
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Инверторы общего назначения
- Промышленные силовые блоки
- Высоковольтные преобразователи
Реальное тестирование
Во время практической проверки транзистор показал пробивное напряжение 1369 В при заявленных 1200 В. Это примерно на 14% выше паспортного значения.
Такой результат подтверждает хороший запас по напряжению и является характерным признаком качественного силового транзистора с полноценными параметрами, соответствующими уровню оригинального компонента.
Вид в разобраном состоянии
Важно учесть
IKW25N120T2 — это высоковольтный силовой IGBT, поэтому для стабильной работы нужно обеспечить правильное управление затвором, эффективное охлаждение, качественный монтаж на радиатор и защиту от перенапряжения.
от 80 грн.
от 50 грн.