IRF1404PBF, N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220AB /International Rectifier/

IRF1404PBF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор от производителя International Rectifier в корпусе TO-220AB.

Он рассчитан на низковольтные, но очень высокотоковые узлы, где важны минимальное сопротивление открытого канала, высокая скорость переключения и надежная работа в автомобильной, промышленной и силовой электронике. Модель имеет напряжение сток-исток до 40 В, очень низкое сопротивление канала 3.5 мОм типично / 4 мОм максимум при управлении затвором 10 В, а также допускает температуру кристалла до +175 °C.

Функционал

• N-канальный MOSFET для силового коммутирования нагрузки и работы в импульсных узлах.
• Низкий RDS(on) помогает уменьшить потери мощности и нагрев при больших токах.
• Быстрое переключение позволяет использовать транзистор в DC-DC преобразователях, драйверах двигателей и других силовых схемах.
• Лавинная стойкость и встроенный body diode полезны при работе с индуктивными нагрузками.
• Automotive Qualified (Q101) — транзистор пригоден для автомобильных применений.

Интеграция

• Корпус TO-220AB удобен для монтажа на радиатор.
• Выводы: 1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source.
• Металлическая пластина корпуса также электрически соединена с Drain, это необходимо учитывать при монтаже на радиатор.
• Для получения минимального сопротивления открытого канала желательно управление затвором от 10 В.
• Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В.

Эффективность

• RDS(on): 0.0035 Ом типично, 0.004 Ом максимум при VGS = 10 В.
• Ток стока: до 202 А при Tc = 25 °C, до 143 А при Tc = 100 °C.
• Импульсный ток: до 808 А.
• Мощность рассеивания: до 333 Вт при Tc = 25 °C.
• Быстродействие: td(on) 17 нс, tr 190 нс, td(off) 46 нс, tf 33 нс.
• Заряд затвора Qg: 131 нКл типично, 196 нКл максимум.
• Температура кристалла: от -55 до +175 °C.

Важно: в реальном применении ток нужно оценивать не только по цифрам из таблицы, но и по охлаждению, режиму работы и возможностям корпуса TO-220AB. Для мощных нагрузок необходим правильный теплоотвод и качественный монтаж на радиатор.

Ключевые параметры

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• V(BR)DSS: 40 В
• RDS(on): 3.5 мОм тип., 4 мОм макс.
• VGS(th): 2...4 В
• ID: 202 А при 25 °C
• ID при 100 °C: 143 А
• IDM: 808 А
• VGS: ±20 В
• Pd: 333 Вт
• Qg: 131 нКл тип., 196 нКл макс.
• trr: 78 нс тип., 117 нс макс.
• Корпус: TO-220AB

Назначение выводов

• Gate — управляющий затвор
• Drain — сток
• Source — исток
• Drain (tab) — металлическая пластина корпуса также подключена к стоку

Разъяснение маркировки

IRF1404PbF — полное обозначение модели в документации. Суффикс PbF указывает на бессвинцовое исполнение. На корпусе основной поисковой маркировкой для подбора и ремонта является IRF1404, а дополнительные нижние строки могут содержать код даты и партии производства. При поиске замены или проверке на плате ориентироваться нужно именно на основную маркировку IRF1404.

Типичные применения

• автомобильная электроника 12 В
• силовые ключи постоянного тока
• DC-DC преобразователи
• контроллеры двигателей и реле нагрузки
• системы питания с высокими токами
• защиты аккумуляторных и низковольтных силовых линий

Тестирование