N-канальный MOSFET транзистор IRFP260NPBF от производителя International Rectifier
Маркировка:
На корпусе указана сокращённая маркировка IRFP260N
Во второй и третьей строках маркировки транзистора зашифрованы дата изготовления и номер партии, которые не влияют на его технические характеристики. Соответственно, в каждой новой партии вторая и третья строка маркировки будет всегда разная. Не нужно обращать на них внимания при подборе транзистора для ремонта, главная маркировка, которая определяет тип транзистора, указана в первой строке.
Характеристики
Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds| - предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs| - предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj - максимальная температура канала: 175 °C
Qg - Общий заряд затвора: 234 nC
tr - Время нарастания: 60 ns
Coss - Выходная ёмкость: 603 pf
Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm