FJP13009 NPN-биполярный ранзистор предназначен для импульсных режимов работы, произведен компанией Fairchild Semiconductor
Он же NJE13009 который выпускается другой компанией.
Назначение:
FJP13009 предназначен для высоковольтных, высокомощных коммутируемых схем. Рекомендуется для применения в источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других устройствах.
Особенности:
- Высокая рассеиваемая мощность: до 100 Вт
- Рабочее напряжение до 700 В
- Стандартный корпус TO-220
- NPN-транзистор с широким диапазоном применения
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-база (VCB): 700 В
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 400 В
- Ток коллектора (IC): до 12 А
- Частота перехода (ft): 4 МГц
- Энергия перехода коллектора (Cc): 180 пФ
- Коэффициент передачи тока (hFE): ≥ 8
- Максимальная температура перехода (TJ): 150 °C
Идеален для использования в высоковольтных источниках питания и других мощных коммутируемых устройствах.
Транзистор в разобранном состоянии
Визуальный обзор размера кристалла, подтверждающий качество транзистора.

Фактическая емкость подтверждающая качество транзистора
