LTK5302, ESOP-10, микросхема аудиоусилитель класса D/AB /Ltkchip/

LTK5302 — одноканальный аудиоусилитель класса D/AB от производителя LTKCHIP со встроенным синхронным повышающим преобразователем (BOOST). Работает от питания 3–5 В, обеспечивает высокую эффективность, имеет защиты и подходит для портативной акустики, радиоприёмников, игровых устройств, умной техники и других аудиоустройств.

Разъяснение маркировки

Во второй строке маркировки микросхемы зашифрована дата изготовления и номер партии, которые не влияют на её технические характеристики. Соответственно, в каждой новой партии вторая строка маркировки будет всегда разной. Не нужно обращать на неё внимания при подборе микросхемы для ремонта, главная маркировка, которая определяет тип микросхемы, указана в первой строке.

Ключевые возможности

• Встроенный BOOST с двумя уровнями выходной шины питания: 6.5 В или 7.1 В (выбор через ножку VSEL)
• Режимы работы усилителя: Class D (обычный), Class D с защитой от перегрузки по искажениям (AGC1/AGC2), Class AB, Shutdown — переключение одной линией через ножку EN или уровнями напряжения
• Типовой коэффициент усиления около 20 дБ (при RIN≈36 кОм), подстройкой RIN
• Высокая эффективность при работе в классе D
• Низкий собственный шум и искажения

Электрические параметры (выдержка из даташита)

• Питание: 3–5 В (макс. 5.5 В)
• Выходная мощность (типовые примеры) при VBAT=4.2 В, индуктивная нагрузка согласно рекомендуемой схеме: 11 Вт @ 2 Ω (THD+N 10%), 8.2 Вт @ 3 Ω (THD+N 10%), 6.7 Вт @ 4 Ω (THD+N 10%)
• Частота коммутации PWM (класс D) около 500 кГц; частота BOOST около 833 кГц
• Ток выключения < 1 µA
• ESD: HBM ±2 кВ (типично)
• Диапазон рабочих температур: −40…+85 °C

Распиновка

• VSEL: выбор напряжения BOOST (низкий уровень — 6.5 В; высокий — 7.1 В)
• EN (аппаратные уровни): <0.5 В — выключено; ~1.4–1.6 В — Class AB (BOOST Off); ~2.2–3.3 В — Class D с BOOST
• OCP: установка лимита тока индуктивности резистором на землю
• LX: узел ключа BOOST (к индуктивности)
• PVDD: повышенная шина питания BOOST; VBAT: вход питания
• OUTP/OUTN: дифференциальные выходы; INP/INN: входы
• GND: тепловая площадка/заземление на дне корпуса

Рекомендации по обвязке

• Индуктивность BOOST: типично 4.7 µH, DCR < 50 mΩ, ток насыщения ≥ 5 А
• Ёмкости питания: на PVDD — электролит 470–1000 µF в паре с 1 µF керамикой, максимально близко к ножке; на VBAT — 470 µF + 1 µF
• EMI: при длинных выходных линиях — ферритовые бусины и ёмкости; при низком сопротивлении нагрузки возможен RC-снаббер на выходе

Защиты

• Ограничение тока (OCP), короткое замыкание
• Тепловая защита (прибл. 180 °C срабатывание)
• Пороги включения/выключения питания (UVLO)

Корпус: ESOP-10 с тепловой площадкой (exposed pad) для отвода тепла; обеспечьте качественное подсоединение к земле и тепловой площади на плате.