MDU2657 (полная маркировка MDU2657RH) — это одноканальный N-канальный MOSFET транзистор, изготовленный по современной технологии компанией MagnaChip Semiconductor. Транзистор обладает низким сопротивлением в открытом состоянии, высокой скоростью переключения и надежностью. MDU2657 отлично подходит для применения в DC/DC преобразователях и общепромышленных устройствах.
Основные характеристики:
- Максимальное напряжение между стоком и истоком (V<sub>DS</sub>): 30 В.
- Максимальное напряжение между затвором и истоком (V<sub>GS</sub>): ±20 В.
- Ток стока (I<sub>D</sub>):
- 61,7 А при T<sub>C</sub> = 25°C.
- 49,3 А при T<sub>C</sub> = 70°C.
- 20,4 А при T<sub>A</sub> = 25°C.
- 16,3 А при T<sub>A</sub> = 70°C.
- Импульсный ток стока (I<sub>DM</sub>): 100 А.
- Рассеиваемая мощность (P<sub>D</sub>):
- 50 Вт при T<sub>C</sub> = 25°C.
- 3,5 Вт при T<sub>A</sub> = 70°C.
- Энергия одиночного пробоя (E<sub>AS</sub>): 81 мДж.
- Диапазон рабочих температур (T<sub>j</sub>, T<sub>stg</sub>): от -55°C до +150°C.
- Сопротивление стока-истока (R<sub>DS(on)</sub>):
- <7,5 мОм при V<sub>GS</sub> = 10 В.
- <11,3 мОм при V<sub>GS</sub> = 4,5 В.
- Тип корпуса: PowerDFN56.
- 100% протестирован по UL и Rg тестам.
Тепловые характеристики:
- Тепловое сопротивление (переход-корпус): 2,5°C/Вт.
- Тепловое сопротивление (переход-среда): 22,7°C/Вт.
Этот транзистор обеспечивает эффективную работу в высокопроизводительных электронных устройствах благодаря оптимальным электрическим характеристикам и высокой надежности.
от 80 грн.
от 50 грн.