Этот силовой MOSFET NTD2955G от производителя ON Semiconductor имеет кодовую маркировку 2955G
Предназначен для работы с высокой энергией в режимах лавины и коммутации. Он разработан для коммутационных применений с низким напряжением и высокой скоростью в источниках питания, преобразователях и управлении мощными двигателями.
Эти транзисторы особенно хорошо подходят для мостовых схем, где скорость диодов и коммутационно-безопасные рабочие области являются критичными. Они предлагают дополнительный запас мощности против непредвиденных перепадов напряжения.
ОСОБЕННОСТИ:
- Специфицированная лавинная энергия
- IDSS и VDS(on) указаны при повышенной температуре
- Разработано для коммутационных применений с низким напряжением и высокой скоростью, а также для работы с высокой энергией в режимах лавины и коммутации
- Префиксы NVD и SVD для автомобильных и других применений, где требуются уникальные требования к размещению и управлению; соответствует AEC-Q101 и имеет возможности PPAP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-252 (DPAK)
от 80 грн.
от 50 грн.