NTMFS4C06NT1G — это N-канальный силовой MOSFET транзистор в корпусе SO-8FL (DFN 5x6 мм), совместимый по параметрам с оригиналом от ON Semiconductor. Представленный транзистор является качественной **репликой**, обладающей аналогичными характеристиками, но предлагается по более доступной цене. Благодаря низкому сопротивлению канала, малому заряду затвора и хорошим тепловым характеристикам, он отлично подходит для современных DC/DC-преобразователей.
Ключевые характеристики:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Корпус: SO-8 FL (DFN 5x6 мм)
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 30 В
- Непрерывный ток стока (ID): до 69 А (при TC = 25 °C)
- Импульсный ток стока: до 476 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 4.0 мОм (макс.) при VGS = 10 В
- Заряд затвора (Qg): 26 нКл (при VGS = 10 В)
- Мощность рассеивания: до 30.5 Вт (через корпус)
- Температурный диапазон: –55 … +150 °C
Особенности:
- Низкое RDS(on) для уменьшения потерь на проводимость
- Оптимизированный заряд затвора для минимизации потерь при переключении
- Низкая емкость затвора для уменьшения потерь в драйвере
- Полное соответствие требованиям RoHS, без галогенов
- Высокая плотность тока в компактном корпусе SO-8 FL
Маркировка на корпусе:
- Основная маркировка: 4C06N
- Другие символы (AYWZZ) указывают на место, год и неделю производства и партию
Типичные применения:
- DC/DC преобразователи
- Системы питания CPU и GPU
- Модули электропитания материнских плат
- Промышленные и компьютерные блоки питания
NTMFS4C06NT1G — идеальное решение для конструкций, требующих высокой эффективности, быстрого переключения и низких потерь в компактном корпусе.
от 80 грн.
от 50 грн.