Микросхема RY2203 от компании RYCHIP Semiconductor является высокоэффективным решением для защиты литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторов. Она обеспечивает функции защиты от перезарядки, чрезмерного разряда, перегрузки по току, короткого замыкания и перегрева. RY2203 также поддерживает функцию зарядки аккумулятора с нулевым напряжением и соответствует стандартам RoHS.
Маркировка
На микросхеме указано кодирование: MMGOB,
где:
- MM: обозначает модель микросхемы RY2203.
- GOB: это дополнительные символы, которые указывают дату производства или другие технические параметры. Эти символы могут отличаться в зависимости от партии, но они не влияют на функциональность микросхемы.
Если на вашей микросхеме после MM указаны другие символы, например, XZY или ABC, или любые другие символы это всё равно будет микросхема RY2203, подходящая для вашего ремонта или замены.
Покупайте уверенно — это именно та микросхема, которая вам нужна!

Особенности:
-
Защита от обратного подключения зарядного устройства и аккумулятора.
-
Защита от превышения температуры.
-
Двухуровневое обнаружение перегрузки по току: избыточный разрядный ток и короткое замыкание.
-
Функция обнаружения зарядного устройства.
-
Функция зарядки аккумулятора с нулевым напряжением.
-
Внутренний силовой MOSFET с низким сопротивлением 13.8 мОм.
-
Низкое потребление тока: 3.3 мкА в рабочем режиме, 2 мкА в режиме ожидания.
-
Диапазон рабочих температур: -40°C до +85°C.
-
Доступна в компактном корпусе CPC5.
Применение:
Электрические характеристики:
| Параметр |
Мин. (В/кОм/µА/°С) |
Тип. (В/кОм/µА/°С) |
Макс. (В/кОм/µА/°С) |
| Напряжение обнаружения перезаряда |
4.25 В |
4.3 В |
4.35 В |
| Напряжение восстановления после перезаряда |
4.05 В |
4.1 В |
4.15 В |
| Напряжение обнаружения перегрузки разряда аккумулятора |
2.3 В |
2.4 В |
2.5 В |
| Напряжение восстановления после перегрузки разряда |
2.9 В |
3.0 В |
3.1 В |
| Напряжение обнаружения зарядного устройства |
— |
-0.12 В |
— |
| Ток обнаружения короткого замыкания |
— |
— |
45 А |
| Потребление тока в рабочем режиме |
3.3 µА |
5 µА |
— |
| Потребление тока в режиме ожидания |
2 µА |
4 µА |
— |
| Сопротивление между VM и VDD |
320 кОм |
— |
— |
| Сопротивление между VM и GND |
25 кОм |
— |
— |
| Эквивалентное сопротивление FET |
— |
13.8 мОм |
— |
| Температура срабатывания защиты от перегрева |
— |
120 °C |
— |
| Температура восстановления после перегрева |
— |
100 °C |
— |
| Время задержки обнаружения перезаряда |
128 мс |
200 мс |
— |
| Время задержки обнаружения перегрузки разрядного тока |
40 мс |
60 мс |
— |
| Время задержки обнаружения короткого замыкания |
80 µс |
— |
— |
Общее описание:
Микросхема RY2203 имеет высокий уровень интеграции и включает внутренний силовой MOSFET, схемы высокоточного определения напряжения и задержки. RY2203 выполняет все необходимые функции защиты в устройствах с аккумуляторами, включая защиту от перезарядки, чрезмерного разряда, перегрузки по току и короткого замыкания. Высокая точность определения напряжения обеспечивает безопасную и эффективную зарядку, а низкое потребление тока позволяет минимизировать потери энергии в режиме ожидания. Устройство предназначено для использования в цифровых устройствах, а также других приложениях с питанием от литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторов.