SRC65R100B (TO-247) N-канальный MOSFET-транзистор /Sanrise Tech/

Полевой транзистор SRC65R100B (N-Channel, 650V, 36.9A, 100mOhm) в корпусе TO-247

SRC65R100B — это высоковольтный мощный N-канальный MOSFET-транзистор от компании Sanrise Tech, изготовленный по передовой технологии Super Junction. Этот транзистор отличается чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии (Rds(on)), низким зарядом затвора и высокой скоростью переключения, что делает его идеальным выбором для приложений с высокими требованиями к плотности мощности и энергоэффективности.

Основные преимущества и особенности:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on) типично 82 мОм, макс. 100 мОм).
• Низкий заряд затвора (Qg типично 86 нКл) для уменьшения потерь на управление.
• Встроенный быстродействующий восстановительный диод (Intrinsic Fast-Recovery Body Diode).
• Высокая скорость переключения и надежная конструкция с улучшенными характеристиками лавинного пробоя (EAS).

Сферы применения:

• AC/DC импульсные источники питания.
• Зарядные станции для электромобилей (EV Charger).
• Блоки питания для ПК, серверов и телекоммуникационного оборудования.

Технические характеристики (для корпуса TO-247):

• Тип транзистора: MOSFET (Super Junction)
• Полярность: N-Channel (N-канал)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 36.9 А
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) при 125°C: 16.5 А
• Импульсный ток стока (Idm): 110.7 А
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)) при Vgs=10V: 100 мОм (0.1 Ом)
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.0 ... 5.0 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) при 25°C: 291 Вт
• Тип корпуса: TO-247
• Диапазон рабочих температур (Tj): от -55°C до +150°C

Сравнительная таблица модификаций серии SRC65R100B (по данным Datasheet):

* Обратите внимание: на этой странице к заказу доступна именно версия в корпусе TO-247.