SRC65R100B (TO-263) N-канальный MOSFET-транзистор /Sanrise Tech/

Полевой транзистор SRC65R100B SMD (N-Channel, 650V, 36.9A, 100mOhm) в корпусе TO-263

SRC65R100B — это мощный высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор от компании Sanrise Tech, разработанный по технологии Super Junction. Эта версия выполнена в корпусе TO-263-2, который предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Компонент отличается сверхнизким сопротивлением открытого канала (Rds(on)), быстрым переключением и оптимизирован для использования в устройствах, где важна высокая плотность мощности при компактном размещении на печатной плате.

Основные преимущества и особенности:

• Корпус TO-263-2 для поверхностного монтажа (SMD).
• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on) типично 82 мОм, макс. 100 мОм).
• Низкий заряд затвора (Qg типично 86 нКл) для минимизации потерь на управление.
• Встроенный быстродействующий восстановительный диод.
• Отличные характеристики лавинного пробоя (EAS) и общая надежность конструкции.

Сферы применения:

• AC/DC импульсные источники питания.
• Зарядные устройства для электромобилей (EV Charger).
• Блоки питания для ПК, серверов, телекоммуникационного и промышленного оборудования.

Технические характеристики (для корпуса TO-263-2):

• Тип транзистора: MOSFET (Super Junction)
• Полярность: N-Channel (N-канал)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 36.9 А
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) при 125°C: 16.5 А
• Импульсный ток стока (Idm): 110.7 А
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)) при Vgs=10V: 100 мОм (0.1 Ом)
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.0 ... 5.0 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) при 25°C: 291 Вт
• Тип корпуса: TO-263-2 (SMD)
• Диапазон рабочих температур (Tj): от -55°C до +150°C

Сравнительная таблица модификаций серии SRC65R100B:

* Обратите внимание: на этой странице к заказу доступна именно версия в SMD-корпусе TO-263 (поставляется в Тубе).