XB8886A — микросхема защиты для одноячеечных Li-ion/Li-Pol аккумуляторов с интегрированными MOSFET и высокоточной системой контроля напряжения/тока. Поддерживает защиту от перезаряда, глубокого разряда, перегрузки по току, короткого замыкания, а также имеет функции обнаружения зарядного устройства, «0V-charge» и защиту от перегрева. Корпус — ESOP8 (значение "E" указывает на то, что корпус микросхемы SOP8 с тепловой площадкой).
Основные особенности
- Защита: перезаряд, переразряд, двухступенчатая защита по току (включая КЗ), от обратного подключения зарядного устройства и элемента
- Обнаружение зарядного устройства, режим «0V-battery charging»
- Низкое собственное потребление в работе и режиме обесточивания
- Интегрированные малоомные MOSFET (низкие потери), корпус SOP8-PP с EPAD
- Встроенные задержки срабатывания и высокоточные пороги детекции
- Соответствие RoHS
Ключевые параметры (кратко)
- Порог перезаряда (детекция/снятие): около 4.30 В / 4.10 В
- Порог переразряда (детекция/снятие): около 2.40 В / 3.0 В
- Двухступенчатая защита по току: перегрузка и короткое замыкание
- Типичная эквивалентная проводимость интегрированных MOSFET: низкое сопротивление канала
- Режимы: нормальный, overcharge/overdischarge, power-down
Назначение выводов (SOP8-PP)
- VM — отрицательный вывод пакета (внутренний ключ к GND)
- GND — земля
- VDD — питание микросхемы
- EPAD — тепловая площадка; обязательно соединить с GND широкой площадью меди
Маркировка на корпусе
Главная маркировка, которая определяет тип микросхемы — XB8886A, далее малыми символами код, который определяет неделю производства (меняется от партии к партии)
- Примечание: дата-код предназначен только для трассировки и не влияет на совместимость. Ориентируйтесь на название модели XB8886A и фото в карточке товара.
Применение
- Аккумуляторные пакеты 1S (Li-ion/Li-Pol), павербанки, портативная электроника
Доступные модификации
| Модель |
Корпус |
Пороги напряжения защиты (типичные) |
Защита по току |
Потребление микросхемы |
Особенности |
| XB8886A |
ESOP8 |
Перезаряд: срабатывание 4.30 В / снятие 4.10 В
Переразряд: срабатывание 2.40 В / снятие 3.00 В |
Перегрузка по току: ~15 А
Короткое замыкание: ~40 А
Защита тока при зарядке: нет |
В работе: ~3 µA
С пониженным потреблением: ~1.8 µA |
Базовая версия с более низким порогом перезаряда и более низким собственным потреблением |
| XB8886G |
ESOP8 |
Перезаряд: срабатывание 4.425 В / снятие 4.25 В
Переразряд: срабатывание 2.40 В / снятие 3.00 В |
Перегрузка по току: ~15 А (тип., диапазон 10.5–19.5 А)
Короткое замыкание: 30–80 А
Защита тока при зарядке: есть (около 14 А, тип.) |
В работе: ~7.8 µA
С пониженным потреблением: ~4.5 µA |
Более высокий порог перезаряда; добавлена защита тока при зарядке; немного более низкое сопротивление канала MOSFET; более длинная задержка при КЗ |
| XB8886M |
ESOP8 |
Перезаряд: срабатывание 4.475 В / снятие 4.30 В
Переразряд: срабатывание 2.40 В / снятие 3.00 В |
Перегрузка по току: ~15 А
Защита тока при зарядке: есть
Точность срабатывания по перезаряду: ±50 mВ |
В работе: ~7.8 µA
С пониженным потреблением: ~4.5 µA |
Поддерживает зарядку с нуля (0V charging); низкое сопротивление канала MOSFET (~8.5 mΩ); самовосстановление после переразряда |
Совместимость: обе модели выполняют одинаковые функции и имеют тот же корпус. Из-за разных порогов и токовых защит выбирайте версию с учетом требований вашей схемы.
```
от 70 грн.
от 45 грн.