BDW93C — это мощный кремниевый эпитаксиально-планарный NPN транзистор Дарлингтона от компании STMicroelectronics
Изготовлен в монолитном исполнении и размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-220. Деталь специально разработана для эффективного использования в линейных и импульсных схемах различного промышленного оборудования.
Важной особенностью транзистора является интегрированный антипараллельный диод коллектор-эмиттер. Комплементарной парой для этой модели выступает PNP транзистор BDW94C.
Как правильно читать маркировку транзистора (на что обращать внимание):
- BDW93C — это основной партномер (название) детали. Именно он является самым важным. Его нужно использовать для поиска транзистора или его аналогов.
- Логотип ST (стилизованные буквы) — указывает на то, что производителем является компания STMicroelectronics.
- GK2TL VW и CHN 603 — это служебная фабричная информация (код партии, дата выпуска и страна производства Китай). На эти строки не нужно обращать внимания при поиске, так как они меняются с каждой новой выпущенной партией и не влияют на технические характеристики. Поиск по этим символам не даст результатов, ведь они не являются частью названия модели.
- Символы в кружочках (e3, MJC, G) — это технологические маркировки экологических стандартов (например, бессвинцовое исполнение). Их также можно игнорировать при подборе, потому что они лишь подтверждают соответствие компонента современным нормам безопасности производства. Эти отметки являются стандартными для миллионов различных деталей и никак не помогут идентифицировать конкретный транзистор.
Основные технические характеристики:
- Структура транзистора: NPN (Дарлингтона)
- Тип корпуса: TO-220
- Максимальное напряжение коллектор-база (Vcbo): 100 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 100 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 А
- Максимальный импульсный ток коллектора (Icm): 15 А
- Максимальный ток базы (Ib): 0.2 А
- Общая рассеиваемая мощность (Ptot): 80 Вт (при температуре корпуса до 25°C)
- Максимальная рабочая температура соединения (Tj): +150 °C
- Производитель: STMicroelectronics