BSC067N06LS3 G — это мощный N-канальный MOSFET от производителя Infineon Technologies, выполненный в компактном SMD-корпусе TDSON-8 размер: 5x6 мм
Транзистор рассчитан на работу в импульсных силовых схемах, DC/DC-преобразователях и синхронных выпрямителях, где важны низкое сопротивление открытого канала, малый нагрев и быстрое переключение.
Функционал
- N-канальный MOSFET силового класса для низковольтных преобразователей питания.
- Напряжение сток-исток VDS — 60 В, что подходит для схем питания с запасом по напряжению.
- Ток стока до 79 А при VGS = 10 В и температуре корпуса TC = 25 °C.
- Импульсный ток до 316 А при кратковременной нагрузке в пределах допустимого теплового режима.
- Встроенный обратный диод между Source и Drain, как у большинства силовых MOSFET.
- Корпус TDSON-8 размер: 5*6 мм.
Эффективность
Главное преимущество BSC067N06LS3 G — очень низкое сопротивление открытого канала. Чем меньше RDS(on), тем меньше потери на нагрев и тем легче транзистору работать с большим током.
- RDS(on) max 6,7 мОм при VGS = 10 В, ID = 50 А.
- RDS(on) max 12,1 мОм при VGS = 4,5 В, ID = 25 А.
- Подходит для схем, где MOSFET часто открывается и закрывается, в частности для высокочастотных DC/DC-преобразователей.
Управление затвором
- Тип управления — logic level, то есть транзистор может открываться от относительно небольшого напряжения на затворе.
- Пороговое напряжение VGS(th): 1,2–2,2 В. Это лишь момент начала открытия, а не режим полной проводимости.
- Для силового режима нужно ориентироваться на параметры при VGS = 4,5 В или VGS = 10 В, как указано в даташите.
- Максимальное напряжение Gate-Source: ±20 В.
Ключевые параметры
| Параметр |
Значение |
| Тип транзистора |
N-channel MOSFET |
| Полное наименование |
BSC067N06LS3 G |
| Официальная маркировка на корпусе |
067N06LS |
| Корпус |
PG-TDSON-8 / SuperSO8, 5x6 мм |
| Максимальное напряжение VDS |
60 В |
| Максимальный ток ID |
79 А при VGS = 10 В, TC = 25 °C |
| Импульсный ток ID,pulse |
316 А |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) |
6,7 мОм max при VGS = 10 В |
| Сопротивление открытого канала при 4,5 В |
12,1 мОм max |
| Пороговое напряжение VGS(th) |
1,2–2,2 В |
| Заряд затвора Qg |
23 нКл typ / 30 нКл max при VGS = 4,5 В |
| Мощность рассеивания |
69 Вт при TC = 25 °C |
| Тепловое сопротивление RthJC |
1,8 K/Вт |
| Рабочая температура |
-55…+150 °C |
Назначение выводов
| Вывод |
Назначение |
| 1–3 |
Source |
| 4 |
Gate |
| 5–8 |
Drain |
Разъяснение маркировки
На корпусе транзистора основная маркировка модели — 067N06LS. Именно этот код соответствует BSC067N06LS3 G в даташите Infineon.
На фото также видна вторая строка HAB612. Это служебный код партии и производства. В разных партиях эта строка будет другой, поэтому при подборе транзистора нужно ориентироваться на основную маркировку 067N06LS и полное наименование BSC067N06LS3 G.
Типичные применения
- DC/DC-преобразователи питания.
- Синхронные выпрямители.
- Импульсные блоки питания.
- Силовые ключи в низковольтных схемах.
- Ремонт плат питания, где установлен MOSFET с маркировкой 067N06LS.
Особенности корпуса
Корпус PG-TDSON-8 размер 5х6мм имеет большую тепловую площадку, что помогает лучше отводить тепло от кристалла на плату. При замене этого транзистора важно качественно пропаять не только боковые выводы, но и тепловую площадку, иначе MOSFET может перегреваться даже при правильном электрическом подключении.