BSC067N06LS3G, TDSON-8, N-канальний MOSFET транзистор, маркування 067N06LS /Infineon/

BSC067N06LS3 G — це потужний N-канальний MOSFET від виробника Infineon Technologies, виконаний у компактному SMD-корпусі  TDSON-8  размір: 5x6 мм

Транзистор розрахований на роботу в імпульсних силових схемах, DC/DC-перетворювачах та синхронних випрямлячах, де важливі низький опір відкритого каналу, малий нагрів і швидке перемикання.

Функціонал

• N-канальний MOSFET силового класу для низьковольтних перетворювачів живлення.
• Напруга стік-витік VDS — 60 В, що підходить для схем живлення з запасом по напрузі.
• Струм стоку до 79 А при VGS = 10 В і температурі корпусу TC = 25 °C.
• Імпульсний струм до 316 А при короткочасному навантаженні в межах допустимого теплового режиму.
• Вбудований зворотний діод між Source і Drain, як у більшості силових MOSFET.

Ефективність

Головна перевага BSC067N06LS3 G — дуже низький опір відкритого каналу. Чим менший RDS(on), тим менші втрати на нагрів і тим легше транзистору працювати з великим струмом.

• RDS(on) max 6,7 мОм при VGS = 10 В, ID = 50 А.
• RDS(on) max 12,1 мОм при VGS = 4,5 В, ID = 25 А.
• Підходить для схем, де MOSFET часто відкривається і закривається, зокрема для високочастотних DC/DC-перетворювачів.

Керування затвором

• Тип керування — logic level, тобто транзистор може відкриватися від відносно невеликої напруги на затворі.
• Порогова напруга VGS(th): 1,2–2,2 В. Це лише момент початку відкривання, а не режим повної провідності.
• Для силового режиму потрібно орієнтуватися на параметри при VGS = 4,5 В або VGS = 10 В, як зазначено в даташиті.
• Максимальна напруга Gate-Source: ±20 В.

Ключові параметри

Призначення виводів

Роз’яснення маркування

На корпусі транзистора основне маркування моделі — 067N06LS. Саме цей код відповідає BSC067N06LS3 G у даташиті Infineon.

На фото також видно другий рядок HAB612. Це службовий код партії та виробництва. У різних партіях цей рядок буде іншим, тому при підборі транзистора потрібно орієнтуватися на основне маркування 067N06LS і повне найменування BSC067N06LS3 G.

Типові застосування

• DC/DC-перетворювачі живлення.
• Синхронні випрямлячі.
• Імпульсні блоки живлення.
• Силові ключі в низьковольтних схемах.
• Ремонт плат живлення, де встановлений MOSFET з маркуванням 067N06LS.

Особливості корпусу

Корпус PG-TDSON-8  розмір 5х6мм має велику теплову площадку, що допомагає краще відводити тепло від кристала на плату. При заміні цього транзистора важливо якісно пропаяти не лише бокові виводи, а й теплову площадку, інакше MOSFET може перегріватися навіть при правильному електричному підключенні.