BSC0901NS — это N-канальный MOSFET от компании Infineon Technologies, выполненный в корпусе PG-TDSON-8 (SuperSO8). Разработанный на базе технологии OptiMOS™, этот транзистор обладает очень низким сопротивлением в открытом состоянии, высокой токовой способностью и превосходной термостойкостью. Идеально подходит для применения в импульсных преобразователях, DC/DC-конвертерах, электропитании GPU и CPU, а также в автомобильной электронике.
Ключевые характеристики:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Корпус: PG-TDSON-8 (SuperSO8) размер 5х6мм
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 30 В
- Непрерывный ток стока (ID): до 149 А (при TC = 25 °C)
- Импульсный ток стока: до 596 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 1.6 мОм (тип.) при VGS = 10 В
- Заряд затвора (Qg): до 44 нКл при VGS = 10 В
- Мощность рассеивания: до 69 Вт (при TC = 25 °C)
- Температурный диапазон: –55 … +150 °C
Особенности:
- Разработан для высокоэффективных buck-конвертеров
- Очень низкое RDS(on) для минимальных потерь
- Высокий ток в компактном корпусе
- Полная проверка на лавинную устойчивость
- Бессвинцовая технология, RoHS и Halogen-free совместимость
Маркировка на корпусе:
- Основная маркировка: 0901NS
- Вторая строка в маркировке транзистора указывает номер партии и год изготовления, это маркировка никак не влияет на параметры и будет отличаться от партии к партии.
- Остальные символы — логотип производителя
Типичные применения:
- Понижающие DC/DC преобразователи
- Системы питания процессоров и графических чипов
- Автомобильная электроника
- Промышленные импульсные блоки питания
BSC0901NS — это отличный выбор для применений, где требуются высокая плотность тока, эффективный теплоотвод и минимальные потери проводимости.
от 80 грн.
от 50 грн.