BSC0901NS — це N-канальний MOSFET від компанії Infineon Technologies, виконаний у корпусі PG-TDSON-8 (SuperSO8). Розроблений на базі технології OptiMOS™, цей транзистор має дуже низький опір у відкритому стані, високу струмову здатність і чудову термостійкість. Ідеально підходить для застосування в імпульсних перетворювачах, DC/DC-конвертерах, електроживленні GPU та CPU, а також у автомобільній електроніці.
Ключові характеристики:
- Тип транзистора: N-канальний MOSFET
- Корпус: PG-TDSON-8 (SuperSO8) розмір 5х6мм
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 30 В
- Безперервний струм стоку (ID): до 149 А (при TC = 25 °C)
- Імпульсний струм стоку: до 596 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 1.6 мОм (тип.) при VGS = 10 В
- Заряд затвора (Qg): до 44 нКл при VGS = 10 В
- Потужність розсіювання: до 69 Вт (при TC = 25 °C)
- Температурний діапазон: –55 … +150 °C
Особливості:
- Розроблений для високоефективних buck-конвертерів
- Дуже низький RDS(on) для мінімальних втрат
- Високий струм у компактному корпусі
- Повна перевірка на лавинну стійкість
- Безсвинцева технологія, RoHS та Halogen-free сумісність
Маркування на корпусі:
- Основне маркування: 0901NS
- Другий рядок в маркуванні транзистора вказує номер партії та рік виготовлення, це маркування ні як не влииває на параметри, і буде відрізнятись від партії до партії
- Інші символи логотип виробника
Типові застосування:
- Понижувальні DC/DC перетворювачі
- Системи живлення процесорів та графічних чипів
- Автомобільна електроніка
- Промислові імпульсні блоки живлення
BSC0901NS — це відмінний вибір для застосувань, де потрібна висока щільність струму, ефективне тепловідведення та мінімальні втрати провідності.
від 80 грн.
від 50 грн.