DTC143ZET1G — цифровой NPN-транзистор (BRT, Bias-Resistor Transistor) от производителя ON-Semiconductor со встроенными резисторами базы R1 = 4.7 kΩ и R2 = 47 kΩ. Позволяет подключать вход напрямую к микроконтроллеру/логике без внешних резисторов. Корпус: SOT-416FL (SC-89), габарит ≈ 1.55 × 0.80 мм.
Ключевые характеристики (DTC143ZET1G)
- Тип/полярность: цифровой NPN со встроенными R1/R2 (инвертор)
- Макс. напряжения: VCBO=50 В; VCEO=50 В
- Макс. ток коллектора: IC=100 мА
- Насыщение выхода: VCE(sat) ≤ 0.25 В (IC=10 мА)
- Уровни логики: VO(ON) (низкий) ≤ 0.2 В @ VCC=5 В; VO(OFF) (высокий) ≈ 4.9 В
- DC-усиление: hFE ≥ 80 (тип. ≈ 200)
- Рассеиваемая мощность: PD до 200 мВт (FR-4, мин. площадка)
- Диапазон температур: −55…+150 °C
Назначение выводов (SOT-416FL)
- 1 — IN (Base): вход управления через R1
- 2 — GND (Emitter): общий; к нему подключен R2
- 3 — OUT (Collector): выход/коллектор
Маркировка на корпусе
- Верхний код: 8K — код модели именно для DTC143ZET1G.
- Рядом может печататься маленький date-code (буква/символ) — служебный, всегда отличается между партиями и на характеристики не влияет.
Модификации этой серии (все — SOT-416/SC-89; VCEO=50 В, IC=100 мА)
| Модификация |
R1 (kΩ) |
R2 (kΩ) |
Верхняя маркировка |
Комментарий |
| DTC143ZET1G |
4.7 |
47 |
8K |
Текущая модель |
| DTC143EET1G |
4.7 |
4.7 |
8J |
Симметричные R1/R2 |
| DTC143TET1G |
4.7 |
∞ |
8F |
Без R2 (pull-down отсутствует) |
| DTC114EET1G |
10 |
10 |
8A |
Средние номиналы |
| DTC114YET1G |
10 |
47 |
8D |
Входной резистор больше |
| DTC124EET1G |
22 |
22 |
8B |
Повышенные номиналы |
| DTC124XET1G |
22 |
47 |
8L |
Более высокий делитель |
| DTC123JET1G |
2.2 |
47 |
8M |
Малый R1, большой R2 |
| DTC123EET1G |
2.2 |
2.2 |
8H |
Малые номиналы |
| DTC115EET1G |
100 |
100 |
8N |
Очень большие номиналы |
| DTC144EET1G |
47 |
47 |
8C |
Высокие симметричные |
| DTC144WET1 |
47 |
22 |
8P |
R1>R2 |
| DTC114TET1G |
10 |
∞ |
94 |
Без R2 |