DTC143ZET1G — цифровий NPN-транзистор (BRT, Bias-Resistor Transistor) від виробника ON-Semiconductor з вбудованими резисторами бази R1 = 4.7 kΩ і R2 = 47 kΩ. Дозволяє підключати вхід напряму до мікроконтролера/логіки без зовнішніх резисторів. Корпус: SOT-416FL (SC-89), габарит ≈ 1.55 × 0.80 мм.
Ключові характеристики (DTC143ZET1G)
- Тип/полярність: цифровий NPN із вбудованими R1/R2 (інвертор)
- Макс. напруги: VCBO=50 В; VCEO=50 В
- Макс. струм колектора: IC=100 мА
- Насичення виходу: VCE(sat) ≤ 0.25 В (IC=10 мА)
- Рівні логіки: VO(ON) (низький) ≤ 0.2 В @ VCC=5 В; VO(OFF) (високий) ≈ 4.9 В
- DC-підсилення: hFE ≥ 80 (тип. ≈ 200)
- Розсіювана потужність: PD до 200 мВт (FR-4, мін. площадка)
- Діапазон температур: −55…+150 °C
Призначення виводів (SOT-416FL)
- 1 — IN (Base): вхід керування через R1
- 2 — GND (Emitter): загальний; до нього підключено R2
- 3 — OUT (Collector): вихід/колектор
Маркування на корпусі
- Верхній код: 8K — код моделі саме для DTC143ZET1G.
- Поруч може друкуватися маленький date-code (літера/символ) — службовий, завжди відрізняється між партіями та на характеристики не впливає.
Модифікації цієї серії (усі — SOT-416/SC-89; VCEO=50 В, IC=100 мА)
| Модифікація |
R1 (kΩ) |
R2 (kΩ) |
Верхнє маркування |
Коментар |
| DTC143ZET1G |
4.7 |
47 |
8K |
Поточна модель |
| DTC143EET1G |
4.7 |
4.7 |
8J |
Simmetric R1/R2 |
| DTC143TET1G |
4.7 |
∞ |
8F |
Без R2 (pull-down відсутній) |
| DTC114EET1G |
10 |
10 |
8A |
Середні номінали |
| DTC114YET1G |
10 |
47 |
8D |
Вхідний резистор більший |
| DTC124EET1G |
22 |
22 |
8B |
Підвищені номінали |
| DTC124XET1G |
22 |
47 |
8L |
Вищий дільник |
| DTC123JET1G |
2.2 |
47 |
8M |
Малий R1, великий R2 |
| DTC123EET1G |
2.2 |
2.2 |
8H |
Малі номінали |
| DTC115EET1G |
100 |
100 |
8N |
Дуже великі номінали |
| DTC144EET1G |
47 |
47 |
8C |
Високі симетричні |
| DTC144WET1 |
47 |
22 |
8P |
R1>R2 |
| DTC114TET1G |
10 |
∞ |
94 |
Без R2 |