FQPF12N60C — это N-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) серии QFET® от производителя Fairchild Semiconductor (теперь часть ON Semiconductor), изготовленный по фирменной технологии планарной полосы и DMOS. Эта передовая технология специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах.
Устройство идеально подходит для использования в высокоэффективных импульсных источниках питания, системах активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластах ламп на основе полумостовой топологии.
Основные электрические характеристики:
- Напряжение сток-исток (VDSS): 600 В
- Ток стока (ID): 12 А (непрерывный, при температуре корпуса 25°C)
- Импульсный ток стока (IDM): 48 А
- Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): не более 0.65 Ом (при VGS = 10 В и ID = 6 А)
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): от 2.0 В до 4.0 В
- Максимальная рабочая температура перехода (TJ): +150°C
Особенности и преимущества:
- Тип корпуса: TO-220F (изолированный).
- Низкий общий заряд затвора (типичное значение 48 нКл).
- Низкая обратная проходная емкость (Crss типично 21 пФ).
- 100% компонентов проходят испытания на лавинный пробой.
- Мощность рассеивания (PD): 51 Вт при 25°C.
Тестирование:
от 80 грн.
от 50 грн.