FQPF12N60C — це N-канальний силовий польовий транзистор (MOSFET) серії QFET®, від виробника Fairchild Semiconductor (тепер частина ON Semiconductor), виготовлений за фірмовою технологією планарної смуги та DMOS. Ця передова технологія спеціально розроблена для мінімізації опору у відкритому стані, забезпечення чудових характеристик перемикання та високої стійкості до імпульсів енергії в лавинному та комутаційному режимах.
Пристрій ідеально підходить для використання у високоефективних імпульсних джерелах живлення, системах активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) та електронних баластах ламп на основі напівмостової топології.
Основні електричні характеристики:
- Напруга стік-витік (VDSS): 600 В
- Струм стоку (ID): 12 А (безперервний, при температурі корпусу 25°C)
- Імпульсний струм стоку (IDM): 48 А
- Опір у відкритому стані (RDS(on)): не більше 0.65 Ом (при VGS = 10 В та ID = 6 А)
- Гранична напруга затвора (VGS(th)): від 2.0 В до 4.0 В
- Максимальна робоча температура переходу (TJ): +150°C
Особливості та переваги:
- Тип корпусу: TO-220F (ізольований).
- Низький загальний заряд затвора (типове значення 48 нКл).
- Низька зворотна ємність передачі (Crss типово 21 пФ).
- 100% компонентів проходять випробування на лавинний пробій.
- Потужність розсіювання (PD): 51 Вт при 25°C.
Тестування:
від 80 грн.
від 50 грн.