FQPF5N60C — это N-канальный полевой транзистор (MOSFET), изготовленный по технологии QFET® компанией Fairchild Semiconductor (ныне ON Semiconductor). Благодаря высокому напряжению пробоя, низкому сопротивлению открытого канала и быстрому переключению, транзистор идеально подходит для импульсных источников питания, активных схем PFC и электронных балластов.
Ключевые характеристики:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Корпус: TO-220F (изолированный, полностью пластиковый)
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 600 В
- Непрерывный ток стока (ID): 4.5 А при TC = 25 °C
- Импульсный ток стока: до 18 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 2.5 Ω (макс.) при VGS = 10 В
- Заряд затвора (Qg): 15 нКл (тип.)
- Ёмкость обратной связи (Crss): 6.5 пФ (тип.)
- Мощность рассеяния: 33 Вт (при TC = 25 °C)
- Температурный диапазон: –55 … +150 °C
Особенности:
- 100% проверка на лавинную устойчивость
- Низкий заряд затвора для высокой скорости переключения
- Изолированный корпус TO-220F не требует дополнительных прокладок при монтаже на радиатор
Маркировка на корпусе:
- Основная маркировка: FQPF5N60C
- Другие строки на корпусе могут включать код партии, дату производства или логотип производителя — они не влияют на параметры транзистора.
Типовые применения:
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Активные PFC-контроллеры
- Повышающие и понижающие DC/DC преобразователи
- Системы освещения с электронными балластами
💡 FQPF5N60C — это отличный выбор для схем, которым требуется компактный и надёжный транзистор с высоким напряжением пробоя и изолированным корпусом, что позволяет упростить монтаж на общий радиатор без электрической изоляции.
Тестирование транзистора
от 80 грн.
от 50 грн.