FQPF5N60C — це N-канальний польовий транзистор (MOSFET), виготовлений за технологією QFET® компанією Fairchild Semiconductor (нині ON Semiconductor). Завдяки високій напрузі пробою, низькому опору відкритого каналу та швидкій комутації, транзистор ідеально підходить для імпульсних джерел живлення, активних схем PFC та електронних баластів.
Ключові характеристики:
- Тип транзистора: N-канальний MOSFET
- Корпус: TO-220F (ізольований, повністю пластиковий)
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 600 В
- Безперервний струм стоку (ID): 4.5 А при TC = 25 °C
- Імпульсний струм стоку: до 18 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 2.5 Ω (макс.) при VGS = 10 В
- Заряд затвора (Qg): 15 нКл (тип.)
- Ємність зворотного зв’язку (Crss): 6.5 пФ (тип.)
- Потужність розсіювання: 33 Вт (при TC = 25 °C)
- Температурний діапазон: –55 … +150 °C
Особливості:
- 100% перевірка на лавинну стійкість
- Низький заряд затвора для високої швидкості перемикання
- Ізольований корпус TO-220F не потребує додаткових прокладок при монтажі на радіатор
Маркування на корпусі:
- Основне маркування: FQPF5N60C
- Інші рядки на корпусі можуть включати код партії, дату виробництва або логотип виробника — вони не впливають на параметри транзистора.
Типові застосування:
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Активні PFC-контролери
- Підвищувальні та понижувальні DC/DC перетворювачі
- Системи освітлення з електронними баластами
💡 FQPF5N60C — це відмінний вибір для схем, які потребують компактного та надійного транзистора з високою напругою пробою і ізольованим корпусом, що дозволяє спростити монтаж на загальний радіатор без електричної ізоляції.
Тестування транзистора
від 80 грн.
від 50 грн.