HFP13N60U — N-канальный MOSFET 600В / 14А с низким RDS(on) для импульсных источников питания от производителя SemiHow Co., Ltd.
HFP13N60U — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с максимальным напряжением сток-исток 600В и током до 14А. Изготовлен по технологии с повышенной устойчивостью к лавинному пробою и уменьшенной входной ёмкостью. Благодаря высокой скорости действия, низкому сопротивлению открытого канала и расширенной области безопасной работы, транзистор идеально подходит для применения в высокочастотных преобразователях и блоках питания.
Типичные применения:
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Адаптеры и зарядные устройства
- Инверторы и драйверы двигателей
- Промышленные и бытовые электронные приборы
Маркировка на корпусе:
- HFP13N60U — основная маркировка модели на корпусе транзистора
- Возможная дополнительная маркировка:
YWWX (где Y — год, WW — неделя, X — производственная линия)
- Корпус: TO-220, три вывода: 1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source
При идентификации транзистора обращайте внимание на надпись HFP13N60U на корпусе. Именно она определяет модель и позволяет избежать путаницы с другими MOSFET-ами.
Технические характеристики HFP13N60U:
| Параметр |
Значение |
| Тип транзистора |
N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) |
600В |
| Ток стока (постоянный при TC=25 °C) |
14А |
| Импульсный ток стока |
до 56А |
| RDS(on) (типовое при VGS=10В, ID=7А) |
0.33 Ω |
| Заряд затвора (Qg) |
60 нКл (типовое) |
| Пороговое напряжение затвора |
2.5 – 4.5В |
| Макс. напряжение затвор-исток (VGS) |
±30В |
| Мощность рассеяния при TC=25 °C |
230Вт |
| Температурный диапазон |
–55 °C … +150 °C |
| Тип корпуса |
TO‑220 |
| Сопротивление теплового перехода корпус-кристалл (RθJC) |
0.54 °C/Вт |
Благодаря превосходным переключающим характеристикам и прочной структуре, HFP13N60U является отличным выбором для построения надёжных источников питания и энергетических преобразователей средней мощности.
от 80 грн.
от 50 грн.