HFP13N60U — N-канальний MOSFET 600 В / 14 А з низьким RDS(on) для імпульсних джерел живлення від виробника SemiHow Co., Ltd.
HFP13N60U — це потужний N-канальний MOSFET-транзистор з максимальною напругою стік-витік 600 В і струмом до 14 А. Виготовлений за технологією із підвищеною стійкістю до лавинного пробою та зменшеною вхідною ємністю. Завдяки високій швидкодії, низькому опору відкритого каналу та розширеній зоні безпечної роботи, транзистор ідеально підходить для застосування у високочастотних перетворювачах і блоках живлення.
Типові застосування:
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Адаптери та зарядні пристрої
- Інвертори та драйвери двигунів
- Промислові та побутові електронні прилади
Маркування на корпусі:
- HFP13N60U — основне маркування моделі на корпусі транзистора
- Можливе додаткове маркування:
YWWX (де Y — рік, WW — тиждень, X — виробнича лінія)
- Корпус: TO‑220, три виводи: 1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source
При ідентифікації транзистора звертайте увагу на напис HFP13N60U на корпусі. Саме він визначає модель і дозволяє уникнути плутанини з іншими MOSFET-ами.
Технічні характеристики HFP13N60U:
| Параметр |
Значення |
| Тип транзистора |
N-канальний MOSFET |
| Макс. напруга стік-витік (VDSS) |
600 В |
| Струм стоку (постійний при TC=25 °C) |
14 А |
| Імпульсний струм стоку |
до 56 А |
| RDS(on) (типове при VGS=10 В, ID=7 А) |
0.33 Ω |
| Заряд затвора (Qg) |
60 нКл (типове) |
| Порогова напруга затвора |
2.5 – 4.5 В |
| Макс. напруга затвор-джерело (VGS) |
±30 В |
| Потужність розсіювання при TC=25 °C |
230 Вт |
| Температурний діапазон |
–55 °C … +150 °C |
| Тип корпусу |
TO‑220 |
| Опір теплового переходу корпус-кристал (RθJC) |
0.54 °C/Вт |
Завдяки чудовим перемикаючим характеристикам і міцній структурі, HFP13N60U є відмінним вибором для побудови надійних джерел живлення та енергетичних перетворювачів середньої потужності.