IKW30N60H3 — высокоскоростной IGBT-транзистор третьего поколения от производителя Infineon с технологией TRENCHSTOP™ и встроенным мягким быстрым диодом. Предназначен для работы в высокочастотных инверторах, ИБП и сварочных источниках питания.
Особенности
- Технология TRENCHSTOP™ с низким VCE(sat) и уменьшенными потерями проводимости.
- Очень мягкий и быстрый обратный диод с малым зарядом восстановления — снижение коммутационных потерь и EMI.
- Оптимизирован для высокоскоростного переключения (короткие времена включения/выключения, малые энергопотери).
- Допустимая температура кристалла до 175 °C для работы в жестких тепловых условиях.
- Бессвинцовая выводная металлизация, соответствие RoHS.
Типовые применения
- Источники бесперебойного питания (ИБП, UPS).
- Инверторные сварочные аппараты.
- Высокочастотные преобразователи мощности.
- Импульсные источники питания и промышленная электроника.
Примечания по эксплуатации
- Рекомендуемое напряжение управления затвором: VGE ≈ 15 В для полного открывания транзистора.
- Кратковременный режим короткого замыкания: tSC до 5 мкс при VCC ≤ 400 В (Tj≈150 °C).
- Для надежной работы необходим эффективный отвод тепла с учетом теплового сопротивления Rth(j-c) и мощности рассеяния.
Разъяснение маркировки
- IKW30N60H3 — полное обозначение IGBT-транзистора серии High Speed 600 В, 30 А.
- K30H603 — код маркировки на корпусе, по которому легко идентифицировать именно эту модель в партии.
Характеристики
| Параметр |
Значение |
| Тип |
IKW30N60H3 |
| Максимальное напряжение коллектор–эмиттер (VCE) |
600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) при 100°C |
30 А |
| Ток коллектора при 25°C |
60 А |
| Импульсный ток коллектора (IC,puls) |
до 120 А |
| Падение напряжения насыщения VCE(sat) (25°C, 30 А) |
1.95 В |
| Максимальная температура перехода (Tvj max) |
175°C |
| Заряд затвора (QG) |
165 нКл |
| Маркировка на корпусе |
K30H603 |
| Корпус |
PG-TO247-3 |
| Производитель |
Infineon Technologies |