IKW30N60H3, TO-247, маркування K30H603, N-канальний IGBT транзистор 600В 30А

IKW30N60H3 — високошвидкісний IGBT-транзистор третього покоління від виробника Infineon з технологією TRENCHSTOP™ та вбудованим м’яким швидким діодом. Призначений для роботи у високочастотних інверторах, ДБЖ та зварювальних джерелах живлення.

Особливості

• Технологія TRENCHSTOP™ з низьким V_CE(sat) та зменшеними втратами провідності.
• Дуже м’який і швидкий зворотний діод з малим зарядом відновлення — зниження комутаційних втрат та EMI.
• Оптимізований для високошвидкісного перемикання (короткі часи вмикання/вимикання, малі енерговтрати).
• Допустима температура кристалу до 175 °C для роботи в жорстких теплових умовах.
• Безсвинцева вивідна металізація, відповідність RoHS.

Типові застосування

• Джерела безперебійного живлення (UPS).
• Інверторні зварювальні апарати.
• Високочастотні перетворювачі потужності.
• Імпульсні джерела живлення та промислова електроніка.

Примітки з експлуатації

• Рекомендована напруга керування затвором: V_GE ≈ 15 В для повного відкривання транзистора.
• Короткочасний режим короткого замикання: t_SC до 5 мкс при V_CC ≤ 400 В (T_j≈150 °C).
• Для надійної роботи необхідне ефективне відведення тепла з урахуванням теплового опору R_th(j-c) та потужності розсіювання.

Роз’яснення маркування

• IKW30N60H3 — повне позначення IGBT-транзистора серії High Speed 600 В, 30 А.
• K30H603 — код маркування на корпусі, за яким легко ідентифікувати саме цю модель у партії.

Характеристики