Микросхема MP1907GQ - это высокочастотный, 100-вольтовый полумостовой драйвер N-канального силового МОП-транзистора. Его нижний и верхний каналы управления драйвером управляются независимо и согласованы с задержкой времени менее 5 нс. Функция блокировки сниженного напряжения как для питания верхнего, так и нижнего каскадов заставляет их выходы переходить в состояние логического нуля в случае недостаточного питания. Оба выхода останутся низкими, пока не будет обнаружен сигнал нарастания на любом из входов. Интегрированный bootstrap-диод снижает количество внешних компонентов.
МАРКИРОВКА
Микросхема имеет код маркировки ADEG
- ADE - Это код микросхемы, который в данном случае является MP1907GQ
- G - Это код года, который указывает год изготовления микросхемы
- LLL - код из трех цифр во второй строке маркировки, это номер партии (соответственно он всегда будет разный в каждой партии)
- Вывод при выборе микросхемы:
Для определения и идентификации микросхемы, основная маркировка ADE все остальные индексы и цифры могут отличаться в зависимости от партии и года изготовления.
Тип корпуса: QFN-10 (3*3мм)
ХАРАКТЕРИСТИКИ
- Управляет N-канальным полумостом МОП-транзисторов
- Диапазон напряжения VBST 100 В
- Защита от перекрытия входного сигнала
- Встроенный bootstrap-диод
- Типичное время задержки распространения 20 нс
- Разброс сигнала управления затвором менее 5 нс
- Управление нагрузкой 1 нФ с временем нарастания/спада 12 нс/9 нс при VDD 12 В
- Совместимый вход с TTL-логикой
- Ток покоя менее 150 мкА
- Ток выключения менее 5 мкА
- Функция блокировки сниженного напряжения (UVLO) как для верхнего, так и для нижнего каскада
- Корпус QFN10 размером 3×3 мм
ПРИМЕНЕНИЕ
- Аккумуляторный ручной инструмент
- Телекоммуникационные источники питания полумостового типа
- Авиационные DC-DC преобразователи
- Прямопроходные преобразователи с активным зажимом
РЕКОМЕНДОВАННЫЕ РАБОЧИЕ УСЛОВИЯ
- (3) Напряжение питания (VDD)................................. +4,5 В до 18 В
- (4) Напряжение SW (VSW) ....................................... -1,0 В до 100 В
- Швидкість наростання SW ......................................<50 В/нс
- Робоча температура переходу (TJ)........................ -40°C до +125°C