Мікросхема MP1907GQ - це високочастотний, 100-вольтовий полумостовий драйвер N-канального силового МОП-транзистора. Його нижній та верхній канали керування драйвером керуються незалежно та узгоджені із затримкою часу менше 5 нс. Функція блокування зниженої напруги як для живлення верхнього, так і нижнього каскадів примушує їхні виходи переходити в стан логічного нуля у випадку недостатнього живлення. Обидва виходи залишаться низькими, доки не буде виявлено сигнал зростання на будь-якому з входів. Інтегрований bootstrap-діод знижує кількість зовнішніх компонентів.
МАРКУВАННЯ
Мікросхема має код маркуваня ADEG
- ADE - Це код мікросхеми, який у даному випадку є MP1907GQ
- G - Це код року, який вказує рік, в якому була виготовлена мікросхема
- LLL - код із трьох цифр у другіому рядку маркування, це номер партії (відповідно він завжди буде різнй у кожній партії)
- Висновок при виборі мікросхеми:
Для визначення та ідентифікації мікросхеми, головне маркування ADE всі інщі індекси та цифри можуть відрізнятись залежно від партії та року виготовлення.
Тип корпусу: QFN-10 (3*3мм)
ВЛАСТИВОСТІ
- Керує N-канальним напівмостом МОП-транзисторів
- Діапазон напруги VBST 100 В
- Захист від перекриття вхідного сигналу
- Вбудований bootstrap-діод
- Типовий час затримки поширення 20 нс
- Розбіжність сигналу керування затвором менше 5 нс
- Керування навантаженням 1 нФ з часом наростання/спаду 12 нс/9 нс при VDD 12 В
- Сумісний вхід з TTL-логікою
- Струм спокою менше 150 мкА
- Струм вимкнення менше 5 мкА
- Функція блокування зниженої напруги (UVLO) як для верхнього, так і для нижнього каскаду
- Корпус QFN10 розміром 3×3 мм
ЗАСТОСУВАННЯ
- Акумуляторний ручний інструмент
- Телекомунікаційні джерела живлення напівмостового типу
- Авіаційні DC-DC перетворювачі
- Прямохідні перетворювачі з активним затискачем
РЕКОМЕНДОВАНІ РОБОЧІ УМОВИ
- (3) Напруга живлення (VDD)................................. +4,5 В до 18 В
- (4) Напруга SW (VSW) ....................................... -1,0 В до 100 В
- Швидкість наростання SW ......................................<50 В/нс
- Робоча температура переходу (TJ)........................ -40°C до +125°C