NTMFS4935N — это N-канальный силовой MOSFET в корпусе SO-8 FL (DFN 5x6 мм), совместимый по параметрам с оригинальным компонентом от ON Semiconductor. Представленный транзистор является репликой с аналогичными характеристиками, предназначенный для применения в DC/DC преобразователях, блоках питания CPU и GPU, а также другой импульсной электронике.
Ключевые характеристики:
- Тип транзистора: N-канальный силовой MOSFET
- Корпус: SO-8 FL (DFN 5×6 мм)
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 30 В
- Непрерывный ток стока (ID): до 93 А (при TC = 25 °C)
- Импульсный ток стока: до 275 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 3.2 мОм при VGS = 10 В
- Общий заряд затвора (Qg): 49.4 нКл (при VGS = 10 В)
- Мощсть рассеивания: до 48 Вт (при TC = 25 °C)
- Температурный диапазон: –55 … +150 °C
Особенности:
- Совместимая замена оригинала ON Semiconductor
- Низкое сопротивление канала — минимизация потерь проводимости
- Малый заряд затвора — высокая скорость переключения
- Высокий ток в компактном корпусе SO-8 FL
- Компонент без свинца, RoHS совместимый
Маркировка на корпусе:
- Основная маркировка: 4935N
- Дополнительная маркировка (AYWZZ) — дата и место производства, номер партии
Типичные применения:
- Импульсные источники питания
- Понижающие и повышающие преобразователи
- Системы питания графических и центральных процессоров
- Промышленные DC/DC модуляторы
NTMFS4935N (реплика) — выгодное решение для конструкций, где требуется мощный MOSFET с низким сопротивлением канала и высокой токовой способностью. Идеален для использования в местах, где нет критических требований к бренду, но важны технические параметры и цена.