NTMFS4935N — це N-канальний силовий MOSFET у корпусі SO-8 FL (DFN 5x6 мм), сумісний за параметрами з оригінальним компонентом від ON Semiconductor Представлений транзистор є реплікою з аналогічними характеристиками, призначений для застосування у DC/DC перетворювачах, блоках живлення CPU та GPU, а також іншій імпульсній електроніці.
Ключові характеристики:
- Тип транзистора: N-канальний силовий MOSFET
- Корпус: SO-8 FL (DFN 5×6 мм)
- Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 30 В
- Безперервний струм стоку (ID): до 93 А (при TC = 25 °C)
- Імпульсний струм стоку: до 275 А
- Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 3.2 мОм при VGS = 10 В
- Загальний заряд затвора (Qg): 49.4 нКл (при VGS = 10 В)
- Потужність розсіювання: до 48 Вт (при TC = 25 °C)
- Температурний діапазон: –55 … +150 °C
Особливості:
- Сумісна заміна оригіналу ON Semiconductor
- Низький опір каналу — мінімізація втрат провідності
- Малий заряд затвора — висока швидкість перемикання
- Високий струм у компактному корпусі SO-8 FL
- Компонент без свинцю, RoHS сумісний
Маркування на корпусі:
- Основне маркування: 4935N
- Додаткове маркування (AYWZZ) — дата і місце виробництва, номер партії
Типові застосування:
- Імпульсні джерела живлення
- Понижувальні та підвищувальні перетворювачі
- Системи живлення графічних та центральних процесорів
- Промислові DC/DC модулятори
NTMFS4935N (репліка) — вигідне рішення для конструкцій, де потрібен потужний MOSFET із низьким опором каналу та високою струмовою здатністю. Ідеальний для використання в місцях, де немає критичних вимог до бренду, але важливі технічні параметри та ціна.
від 80 грн.
від 50 грн.