UTG10N65L — это силовой IGBT-транзистор от Unisonic Technologies Co., Ltd (UTC) в компактном корпусе TO-252 для поверхностного монтажа. Модель рассчитана на работу с напряжением до 650 В и подходит для импульсных источников питания, инверторных узлов, резонансных и soft-switching схем, где важны высокая скорость переключения, невысокие потери и удобный SMD-монтаж.
UTG10N65L можно рассматривать как аналог FQD10N65C в задачах, где нужен IGBT класса 650 В / 10 А в корпусе TO-252. За счет Trench Gate Field-Stop структуры транзистор имеет хорошее соотношение между скоростью работы, потерями и тепловыми характеристиками для своего размера.
Ключевые параметры
- Тип компонента: силовой Trench Gate Field-Stop IGBT-транзистор
- Корпус: TO-252 — компактный SMD-корпус для поверхностного монтажа
- Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Допустимое напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Кратковременное напряжение затвор-эмиттер: ±25 В
- Постоянный ток коллектора: до 20 А при температуре корпуса 25°C или до 10 А при 100°C
- Импульсный ток коллектора: до 40 А
- Ток встроенного диода: до 20 А при 25°C или до 10 А при 100°C
- Время выдержки короткого замыкания: до 3 мкс
- Максимальная рассеиваемая мощность: до 44 Вт для корпуса TO-252 при температуре корпуса 25°C
- Максимальная температура кристалла: до 150°C
- Напряжение открытия затвора: примерно 4.5...7.5 В
- Падение напряжения в открытом состоянии: типично 1.65 В, максимум 2.1 В при токе 10 А и управлении затвором 15 В
- Ток утечки коллектора: до 5 мкА при VCE=650 В
- Ток утечки затвора: до ±100 нА
- Входная емкость: типично 615 пФ
- Выходная емкость: типично 57 пФ
- Обратная передаточная емкость: типично 7.9 пФ
- Полный заряд затвора: типично 42.6 нКл
- Время задержки включения: типично 6 нс
- Время нарастания: типично 13 нс
- Время задержки выключения: типично 27 нс
- Время спада: типично 146 нс
- Потери при включении: типично 0.304 мДж
- Потери при выключении: типично 0.264 мДж
- Падение напряжения на встроенном диоде: до 3.0 В при токе 10 А
- Время обратного восстановления диода: типично 53.2 нс
- Заряд обратного восстановления: типично 293 нКл
- Тепловое сопротивление кристалл-корпус: 2.84 °C/Вт для корпуса TO-252
Назначение выводов
- 1 — Gate — затвор, управляющий вывод
- 2 — Collector — коллектор
- 3 — Emitter — эмиттер
Разъяснение маркировки
В первой строке на корпусе указан бренд UTC, во второй — основная маркировка 10N65L, что соответствует модели UTG10N65L. В третьей строке нанесены технологические коды партии, которые не влияют на характеристики транзистора. При подборе или замене ориентироваться следует именно на маркировку 10N65L.
Типовые применения
- Импульсные источники питания
- Резонансные преобразователи
- Soft-switching узлы
- Инверторные модули
- Промышленная электроника
- Ремонт и замена транзисторов класса 650 В в компактных силовых платах
Важно учесть
UTG10N65L — это именно IGBT, а не MOSFET, поэтому при подборе замены важно учитывать не только корпус и напряжение, а и тип силового ключа, напряжение управления затвором, потери под нагрузкой и тепловой режим. Для TO-252 особенно важны качественный теплоотвод через медные полигоны платы и правильная разводка силовых дорожек.
от 80 грн.
от 50 грн.