UTG10N65L — це силовий IGBT-транзистор від Unisonic Technologies Co., Ltd (UTC) у компактному корпусі TO-252 для поверхневого монтажу. Модель розрахована на роботу з напругою до 650 В і підходить для імпульсних джерел живлення, інверторних вузлів, резонансних і soft-switching схем, де важливі висока швидкість перемикання, невисокі втрати та зручний SMD-монтаж.
UTG10N65L можна розглядати як аналог FQD10N65C у задачах, де потрібен IGBT класу 650 В / 10 А у корпусі TO-252. За рахунок Trench Gate Field-Stop структури транзистор має хороше співвідношення між швидкістю роботи, втратами та тепловими характеристиками для свого розміру.
Ключові параметри
- Тип компонента: силовий Trench Gate Field-Stop IGBT-транзистор
- Корпус: TO-252 — компактний SMD-корпус для поверхневого монтажу
- Максимальна робоча напруга колектор-емітер: 650 В
- Допустима напруга затвор-емітер: ±20 В
- Короткочасна напруга затвор-емітер: ±25 В
- Постійний струм колектора: до 20 А при температурі корпусу 25°C або до 10 А при 100°C
- Імпульсний струм колектора: до 40 А
- Струм вбудованого діода: до 20 А при 25°C або до 10 А при 100°C
- Час витримки короткого замикання: до 3 мкс
- Максимальна розсіювана потужність: до 44 Вт для корпусу TO-252 при температурі корпусу 25°C
- Максимальна температура кристала: до 150°C
- Напруга відкривання затвора: приблизно 4.5...7.5 В
- Падіння напруги у відкритому стані: типово 1.65 В, максимум 2.1 В при струмі 10 А і керуванні затвором 15 В
- Струм витоку колектора: до 5 мкА при VCE=650 В
- Струм витоку затвора: до ±100 нА
- Вхідна ємність: типово 615 пФ
- Вихідна ємність: типово 57 пФ
- Зворотна передавальна ємність: типово 7.9 пФ
- Повний заряд затвора: типово 42.6 нКл
- Час затримки вмикання: типово 6 нс
- Час наростання: типово 13 нс
- Час затримки вимикання: типово 27 нс
- Час спаду: типово 146 нс
- Втрати на вмиканні: типово 0.304 мДж
- Втрати на вимиканні: типово 0.264 мДж
- Падіння напруги на вбудованому діоді: до 3.0 В при струмі 10 А
- Час зворотного відновлення діода: типово 53.2 нс
- Заряд зворотного відновлення: типово 293 нКл
- Тепловий опір кристал-корпус: 2.84 °C/Вт для корпусу TO-252
Призначення виводів
- 1 — Gate — затвор, керуючий вивід
- 2 — Collector — колектор
- 3 — Emitter — емітер
Роз’яснення маркування
У першому рядку на корпусі зазначено бренд UTC, у другому — основне маркування 10N65L, що відповідає моделі UTG10N65L. У третьому рядку нанесені технологічні коди партії, які не впливають на характеристики транзистора. При підборі або заміні орієнтуватися слід саме на маркування 10N65L.
Типові застосування
- Імпульсні джерела живлення
- Резонансні перетворювачі
- Soft-switching вузли
- Інверторні модулі
- Промислова електроніка
- Ремонт і заміна транзисторів класу 650 В у компактних силових платах
Важливо врахувати
UTG10N65L — це саме IGBT, а не MOSFET, тому при підборі заміни важливо враховувати не лише корпус і напругу, а й тип силового ключа, напругу керування затвором, втрати під навантаженням і тепловий режим. Для TO-252 особливо важливі якісний тепловідвід через мідні полігони плати та правильна розводка силових доріжок.
від 80 грн.
від 50 грн.