VND7NV04 — это силовой N-канальный MOSFET со встроенными защитами серии OMNIFET II от производителя STMicroelectronics. Компонент выполнен в корпусе TO-252 / DPAK и предназначен для управления нагрузками постоянного тока там, где обычного MOSFET может быть недостаточно из-за риска короткого замыкания, перегрева или импульсных перенапряжений.
В отличие от простого полевого транзистора, VND7NV04 имеет встроенное ограничение тока, тепловую защиту, защиту от короткого замыкания и внутренний ограничитель перенапряжения. Это делает его удобным для ремонта и разработки схем, где требуется более надежный силовой ключ без дополнительных внешних защитных узлов.
Функционал
- Тип компонента: полностью самозащищенный силовой MOSFET OMNIFET II.
- Канал: N-channel.
- Управление: через вход INPUT, совместимый с логическим управлением.
- Работа в качестве ключа: может заменять обычный силовой MOSFET в схемах от DC до 50 кГц.
- Обратная связь об аварии: состояние перегрева можно определять через входной вывод.
Встроенные защиты
- Ограничение тока: микросхема ограничивает ток стока, уменьшая риск повреждения при перегрузке.
- Защита от короткого замыкания: в аварийном режиме транзистор не ведет себя как обычный незащищенный MOSFET.
- Тепловое отключение: при перегреве кристалла ключ автоматически выключается.
- Автоматическое восстановление: после охлаждения компонент может снова перейти в рабочее состояние.
- Внутренний clamp: ограничивает перенапряжение на сток-исток, что особенно полезно при работе с индуктивными нагрузками.
- ESD-защита: повышает устойчивость компонента к электростатическим разрядам.
Ключевые параметры VND7NV04
| Параметр |
Значение |
| Серия |
OMNIFET II |
| Тип |
самозащищенный силовой N-канальный MOSFET |
| Корпус |
TO-252 / DPAK |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) |
до 60 миллиом при VIN = 5 В, ID = 3,5 А, Tj = 25 °C |
| Ограничение тока стока |
6–12 А, типично 9 А |
| Напряжение ограничения сток-исток |
40–55 В, типично 45 В |
| Пороговое напряжение входа |
0,5–2,5 В |
| Рекомендуемое минимальное последовательное сопротивление на входе |
150 Ом |
| Потребление от входного вывода |
типично 100 мкА, до 150 мкА |
| Рассеиваемая мощность для DPAK при Tc = 25 °C |
до 60 Вт |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус для DPAK |
до 2,1 °C/Вт |
| Рабочая частота применения |
от постоянного тока до 50 кГц |
| Диапазон хранения |
-55…+150 °C |
Назначение выводов TO-252 / DPAK
| Вывод |
Обозначение |
Назначение |
| 1 |
INPUT |
управляющий вход транзистора |
| 2 |
DRAIN |
сток, силовой выход |
| 3 |
SOURCE |
исток |
| тепловая площадка |
DRAIN |
электрически соединена со стоком, используется также для отвода тепла |
Пояснение параметров
- RDS(on) — сопротивление открытого канала. Чем оно меньше, тем меньше нагрев транзистора при прохождении тока.
- Ilim — внутреннее ограничение тока. Это не рекомендуемый постоянный рабочий ток, а защитный порог, срабатывающий при перегрузке.
- Vclamp — напряжение внутреннего ограничения сток-исток. Помогает защищать ключ от импульсов, например при выключении катушек, реле или других индуктивных нагрузок.
- Tjsh — температура срабатывания тепловой защиты. При перегреве компонент выключается, а после охлаждения может возобновить работу.
Разъяснение маркировки
На корпусе транзистора VND7NV04 основная маркировка модели нанесена в две строки:
- ST — логотип производителя STMicroelectronics.
- VND7N — первая часть корпусной маркировки модели.
- V04 — вторая часть корпусной маркировки модели.
- VND7N + V04 вместе образуют полное обозначение транзистора VND7NV04.
- GK0QY031 — последняя строка производственный код партии / трассировка. Не является частью модели и всегда будет разным в каждой партии.
Если на плате или в ремонте транзистор ищут по надписи на корпусе, нужно учитывать, что модель VND7NV04 на корпусе разбита на две строки: VND7N и V04. Это тот же транзистор, а не отдельная модификация.
Типичные применения
- управление реле, соленоидами и катушками;
- силовые ключи для двигателей постоянного тока;
- коммутация ламп, нагревателей и других DC-нагрузок;
- ремонт автомобильной и промышленной электроники;
- схемы, где требуется замена обычного MOSFET на более защищенный силовой ключ.
Особенности корпуса TO-252 / DPAK
Корпус TO-252, также известный как DPAK, удобен для поверхностного монтажа и имеет металлическую тепловую площадку, соединенную со стоком. Для работы с заметным током важно обеспечить достаточную площадь меди на плате, так как реальная допустимая мощность сильно зависит от теплоотвода.
Таблица существующих модификаций
| Модель |
Корпус |
Базовая поставка |
Lead-free |
Лента / катушка |
Лента / катушка, lead-free |
| VNN7NV04 |
SOT-223 |
VNN7NV04 |
— |
VNN7NV0413TR |
— |
| VNS7NV04 |
SO-8 |
VNS7NV04 |
— |
VNS7NV0413TR |
— |
| VND7NV04 |
TO-252 / DPAK |
VND7NV04 |
VND7NV04-E |
VND7NV0413TR |
VND7NV04TR-E |
| VND7NV04-1 |
TO-251 / IPAK |
VND7NV04-1 |
VND7NV04-1-E |
— |
— |