XB8789D0 — микросхема защиты одной Li-Ion / Li-Pol ячейки со встроенным силовым MOSFET и полным набором защит от перегрузок, перенапряжения и короткого замыкания. Подходит для компактных аккумуляторных устройств, где важны минимальные потери и низкое потребление тока.
Функционал
- Защита от перезаряда и глубокого разряда ячейки.
- Двухступенчатая защита от перегрузки по току и короткого замыкания нагрузки.
- Защита от перегрева, контроль рабочих условий микросхемы.
- Защита от переполюсовки зарядного устройства и аккумулятора.
- Функция зарядки «мертвого» аккумулятора с напряжением 0 В.
- Внутренние цепи задержки для корректного срабатывания всех режимов защиты.
Интеграция
- Корпус SOP-8 с тепловой площадкой EPAD для монтажа на поверхность.
- Требуется только один внешний развязывающий конденсатор.
- Встроенный мощный MOSFET с эквивалентным сопротивлением канала около 14 мОм.
- Стандартная типовая схема подключения: батарея между BAT+ / BAT−, зарядное устройство подключается к тем же точкам через резистор ограничения тока и конденсатор 0,1 мкФ.
Эффективность
- Малые потери на встроенном MOSFET для высокой эффективности и меньшего нагрева.
- Точные пороги обнаружения перенапряжения/пониженного напряжения обеспечивают полное использование емкости аккумулятора без его повреждения.
- Стабильная работа при больших импульсных токах нагрузки.
Энергосбережение
- Низкий рабочий ток потребления около 9 мкА.
- Режим пониженного потребления (power-down) около 4,5 мкА для длительного хранения аккумулятора.
- Подходит для устройств, которые долгое время находятся в режиме ожидания.
Ключевые особенности
- Защита одной литий-ионной или литий-полимерной банки.
- Полный набор защит: перезаряд, переразряд, перегрузка по току, короткое замыкание, перегрев.
- Защита от обратного подключения зарядного устройства и аккумулятора.
- Работает с минимальным количеством внешних компонентов.
- Исполнение RoHS, не содержит свинца (Pb-Free).
Ключевые параметры
| Тип аккумулятора |
Li-Ion / Li-Pol, 1 ячейка |
| Корпус |
SOP-8 с тепловой площадкой (EPAD) |
| Встроенный MOSFET |
RDS(on) ≈ 14 мОм (тип.) |
| Рабочий режим |
Ток потребления ~9 мкА |
| Режим ожидания |
Ток потребления ~4,5 мкА |
Назначение выводов
| Вывод |
Обозначение |
Описание |
| 1, 2, 3, 4 |
VM |
Отрицательный вывод аккумуляторного пакета. Через внутренний MOSFET соединяется с общей шиной. |
| 5, 7, 8 |
GND |
Общий провод, подключается к минусу аккумулятора (BAT−). |
| 6 |
VDD |
Питание микросхемы от положительного вывода ячейки (BAT+). |
| EPAD |
EPAD |
Тепловая/экранирующая площадка, обязательно соединить с GND на плате. |
Разъяснение маркировки
Маркировка на корпусе обычно содержит код модели XB8789D0 и дополнительные символы партии/даты производства. Все варианты с этим кодом относятся к контроллеру защиты одной Li-Ion/Li-Pol банки в корпусе SOP-8 с тепловой площадкой EPAD.
Типовые применения
- Защита аккумулятора в смартфонах, портативных медиаплеерах, Bluetooth-гарнитурах.
- Портативные измерительные приборы, навигаторы, беспроводные датчики.
- Модули питания и аккумуляторные блоки на одной литиевой банке (в том числе Power Bank с одной ячейкой).